Filtry
Filtry
Tranzystory
| Obraz | część # | Opis | producent | Akcje | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7342TRPBF |
MOSFET MOSFT PODWÓJNY PCh -55V 3,4A
|
IR/Infineon
|
|
|
|
|
|
FDG6332C |
Kanał zasilający MOSFET 20 V N&P
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
SI2365EDS-T1-GE3 |
MOSFET -20 V 32 mOhm przy 4,5 V 5,9 A P-Ch G-III
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
SIRA14DP-T1-GE3 |
MOSFET 30 V 5,1 mOhm przy 10 V 20 A N-Ch G-IV
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
SI1050X-T1-GE3 |
MOSFET 8,0 V 1,34 A 0,236 W 86 mohm przy 4,5 V
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
MOSFET N-Chan 600 V 6,2 A
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
SI9926CDY-T1-GE3 |
MOSFET 20 V 8,0 A 3,1 W 18 mohm przy 4,5 V
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
MTI85W100GC |
Trójfazowy pełny mostek MOSFET z tranzystorami MOSFET typu Trench
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
FDS6680AS |
MOSFET 30 V N-kanałowy PowerTrench SyncFET
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
Si9435BDY-T1-E3 |
MOSFET 30 V 5,7 A 0,042 oma
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
ZXMP4A16GTA |
MOSFET 40V P-Chnl UMOS
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
Wymagania dotyczące: |
MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IRL7486MTRPbF |
MOSFET 40 V, pojedynczy kanał N, HEXFET
|
IR/Infineon
|
|
|
|
|
|
SPW32N50C3 |
MOSFET N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
FCH76N60NF |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
IRFP27N60KPBF |
MOSFET N-Chan 600 V 27 A
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
IPW65R080CFD |
MOSFET N-Ch 650V 43,3A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IPW60R099C6 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IPB60R099C6 |
MOSFET N-CH 650V 38A D2PAK-2 Coolmos C6
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
FDA50N50 |
MOSFET 500 V NCH MOSFET
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
FDPF18N20FT |
MOSFET UniFET 200V
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
FDD86540 |
MOSFET 60 V 50 A 4,1 oma NCh PowerTrench MOSFET
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
BSC014N04LS |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
SIA906EDJ-T1-GE3 |
MOSFET 20 V 4,5 A 7,8 W 46 mohm przy 4,5 V
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
SI2371EDS-T1-GE3 |
MOSFET -30 V 45 mOhm przy 10 V -4,8 A P-Ch G-III
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
PMV213SN,215 |
TAŚMA MOSFET13 PWR-MOS
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BSS138PS,115 |
MOSFET N-CH 60 V 320 mA
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BSC014N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
FDY1002PZ |
MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
FDMB3800N |
MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MIKROFET
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
FDD8424H |
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6,5A DPAK
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
IRF7341TRPBF |
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
FDS89161 |
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
FDMQ8403 |
MOSFET 4N-CH 100 V 3,1 A 12-MLP
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
DMN26D0UDJ-7 |
MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
DMG1024UV-7 |
MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
DMC3021LSD-13 |
MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
FDS9926A |
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
IRF7317TRPBF |
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
NTHD4102PT1G |
CHIPFET MOSFET 2P-CH 20V 2.9A
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
DMP3036SSD-13 |
MOSFET 2P-CH 30V 10,6A 8-SO
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
FDS6898AZ |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
FDMS3660S |
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
IRF7380TRPBF |
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
FDS4935A |
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
DMC2400UV-7 |
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
DMG6601LVT-7 |
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
NTJD4152PT1G |
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
NDC7002N |
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
DMN5L06DWK-7 |
MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363
|
Diody wbudowane
|
|
|