Specyfikacje
Zestaw urządzeń dostawcy:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Kategoria produktu:
MOSFET
Zapas fabryczny:
0
Minimalna ilość:
3000
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:
155 pF przy 20 V
Opakowanie / Pudełko:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Stan części:
Aktywny
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C:
880 mA
Opakowanie:
Taśma i szpula (TR)
@ ilość:
0
Temperatura pracy:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET:
2 kanały P (podwójne)
Funkcja FET:
Bramka poziomu logicznego
Napięcie od drenu do źródła (Vdss):
20V
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:
2,2 nC przy 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
260 mOhm przy 880 mA, 4,5 V
Moc — maks:
272mW
Vgs(th) (Maks.) @ Id:
1,2 V przy 250 µA
Zestaw:
-
Producent:
pół
Wprowadzenie
NTJD4152PT1G,z ONSEMI,jest MOSFET.Oferujemy konkurencyjną cenę na światowym rynku,w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Related Products

NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH

2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C

FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A

NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel

FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO

FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220

ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE

BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH

FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Obraz | część # | Opis | |
---|---|---|---|
![]() |
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
![]() |
2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
|
|
![]() |
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
![]() |
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
|
![]() |
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
|
![]() |
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
![]() |
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
![]() |
ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
|
|
![]() |
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
![]() |
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: