Filtry
Filtry
Tranzystory
| Obraz | część # | Opis | producent | Akcje | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SB1694T106 |
|
Półprzewodnik Rohma
|
|
|
|
|
|
NJW0281G |
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
FZT751TA |
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
FF300R12KS4 |
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
D45H8G |
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
2SD1815S-TL-E |
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
2SC5569-TD-E |
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
BC846B,235 |
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
2SA1708S-AN |
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
FZT855TA |
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
MMBTA06-7-F |
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
FZT951TA |
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
BCP56-16115 |
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
2SB1260T100R |
|
Półprzewodnik Rohma
|
|
|
|
|
|
FZT753TA |
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
MJD31CT4G |
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
2SD2704KT146 |
|
Półprzewodnik Rohma
|
|
|
|
|
|
2SC5824T100R |
|
Półprzewodnik Rohma
|
|
|
|
|
|
2SC5866TLQ |
|
Półprzewodnik Rohma
|
|
|
|
|
|
2SA2125-TD-E |
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
FCX493TA |
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
BC857CW,115 |
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
MJD45H11T4G |
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
BC856BW,115 |
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
SI7540DP-T1-E3 |
MOSFET N- i P-CHANNEL 30V
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
IXFX32N50Q |
MOSFET 32 A, 500 V, 0,15 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXTH13N110 |
MOSFET 13 A, 1100 V, 0,92 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFH26N50 |
DIODA MOSFET Id26 BVdass500
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFK64N60P |
MOSFET 600V 64A
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFK30N100Q2 |
MOSFET 30 A 1000 V 0,35 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
2SK1058-E |
MOSFET MOSFET mocy
|
Renesans Elektronika
|
|
|
|
|
|
FQP20N06L |
Poziom logiczny QFET z kanałem N MOSFET 60 V
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
NX1029X,115 |
MOSFET 60/50 V, 330/170 mA N/P-ch MOSFET wykopowy
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
2N7002VC-7 |
Podwójny kanał N MOSFET
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
SQJA86EP-T1_GE3 |
MOSFET 80 V Vds 30 A Id AEC-Q101 Kwalifikacja
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
DMP1045U-7 |
MOSFET MOSFET BVDSS
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
IPW60R037P7 |
MOSFET WYSOKIEJ MOCY_NOWOŚĆ
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
PMZ350UPEYL |
MOSFET 20 V z kanałem P, MOSFET wykopowy
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
SPW17N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
FDMC86102 |
MOSFET 100/20 V N-Chan PowerTrench
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
APT94N65B2C3G |
MOSFET Moc MOSFET - CoolMOS
|
Mikrosemi
|
|
|
|
|
|
TPH1400ANH,L1Q |
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
|
Toshiby
|
|
|
|
|
|
IRF7103TRPBF |
MOSFET MOSFT PODWÓJNY NCh 50V 3,0A
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
FDC637AN |
MOSFET SSOT-6 N-CH 20V
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
IXFR40N90P |
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Czerwony Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Wymagania w zakresie bezpieczeństwa |
MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IPB180N04S4-H0 |
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9540NSTRRPBF |
MOSFET 1 P-CH -100 V HEXFET 117 mOhm 64,7 nC
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
CPC3701CTR |
MOSFET N Kanał FET 250 V, 360 mA
|
IXYS obwody zintegrowane
|
|
|
|
|
|
SI4554DY-T1-GE3 |
MOSFET 40V 8A/8A 3,1W/3,2W N&P-CH
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|