Filtry
Filtry
Tranzystory
| Obraz | część # | Opis | producent | Akcje | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN601TK-7 |
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
DMP6185SE-13 |
MOSFET PCH 60V 3A SOT223
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
NTLJS4114NT1G |
MOSFET N-CH 30V 3,6A 6-WDFN
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
FDS6630A |
MOSFET N-CH 30V 6,5A 8SOIC
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
DMP6180SK3-13 |
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
FDD7N20TM |
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
IPD50N04S4L-08 |
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
FDD306P |
MOSFET P-CH 12V 6,7A DPAK
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
FQD8P10TM |
MOSFET P-CH 100V 6,6A DPAK
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
BS170 |
MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
STD44N4LF6 |
MOSFET N-CH 40V 44A DPAK
|
STMikroelektronika
|
|
|
|
|
|
FDD3860 |
MOSFET N-CH 100V 6,2A DPAK
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
FDS86267P |
MOSFET P-CH 150V
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
IRFB7545PBF |
MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF100S201 |
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFB7430PBF |
MOSFET N CH 40V 195A TO220
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
AUIRF5210STRL |
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFU3607PBF |
MOSFET N-CH 75V 56A I-PAK
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFSL3306PBF |
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFR4510TRPBF |
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
AUIRF4905 |
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF300P226 |
MOSFET IFX OPTIMO TO247
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFB3006GPBF |
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
2SK2837 |
Typ MOS z krzemowym kanałem N (π-MOSV)
|
Półprzewodnik Toshiby
|
|
|
|
|
|
2SK2225-E |
MOSFET 2A, 1500 V, TO-3PFM, bez Pb
|
Renesans Elektronika
|
|
|
|
|
|
SQS401EN-T1-GE3 |
MOSFET 40V 16A 62,5W P-Ch Motoryzacja
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
IXFN180N10 |
MOSFET 180 A 100 V 0,008 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFN230N10 |
MOSFET 230 A, 100 V, 0,006 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
HAT2160H-EL-E |
MOSFET MOSFET
|
Renesans Elektronika
|
|
|
|
|
|
IXFB50N80Q2 |
MOSFET 50 A, 800 V
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
NX138AKSX |
MOSFET NX138AKS/SC-88/REEL 7" Q1/T1 *
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
IXFN73N30 |
MOSFET 300V 73A
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
CSD88537ND |
MOSFET 60 V, podwójny N-kanałowy MOSFET mocy
|
Instrumenty Teksasu
|
|
|
|
|
|
IXFH20N100P |
MOSFET 20 A 1000 V 1 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
PMZB290UNE2YL |
MOSFET 20 V z kanałem N, MOSFET wykopowy
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
Wymagania w zakresie bezpieczeństwa |
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
SI4816BDY-T1-GE3 |
MOSFET Dual lN-Ch ze Schottkym 30 V 18,5/11,5 mohm
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
SPW20N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 20,7A TO247-3 CoolMOS C3
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
FDP33N25 |
MOSFET 250 V z kanałem N MOSFET
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
IPB014N06N |
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IPP60R099P6 |
MOSFET WYSOKA MOC CENA/WYDAJNOŚĆ
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
FQA9N90C |
MOSFET 900 V z kanałem N QFET
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
FDS89161LZ |
Poziom logiczny MOSFET PT5 100 V z Zenerem
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
IRFL014TRPBF |
MOSFET N-Chan 60 V 2,7 A
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
DMHC3025LSD-13 |
MOSFET 30 V Comp ENH Tryb H-Bridge 20 V VGSS
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
IXFK66N85X |
MOSFET 850 V Ultra Junction klasy X Pwr MOSFET
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXTK82N25P |
MOSFET 82 A, 250 V, 0,035 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IPD100N04S4-02 |
MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
FQP6N40C |
MOSFET 400 V N-Ch Q-FET zaawansowanej serii C
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
2N7002BKS,115 |
Podwójny kanał N MOSFET 60 V 300 mA
|
Nexperia
|
|
|