Filtry
Filtry
Tranzystory
| Obraz | część # | Opis | producent | Akcje | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTMFS4C022NT1G |
WYWÓD MOSFET 6 30V NCH
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
FDP3632 |
MOSFET 100 V 80 a, 9 omów/VGS=1 V
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
IPA60R380E6 |
MOSFET N-Ch 650V 10,6A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IXFR64N60Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
NDS9948 |
MOSFET Dual PCh PowerTrench
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
FQB30N06LTM |
Poziom logiczny QFET z kanałem N MOSFET 60 V
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
SI2312BDS-T1-E3 |
MOSFET N-kanałowy 20 V 3,9 A
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
Si1022R-T1-GE3 |
MOSFET 60 V 330 mA 250 mW 1,25 oma przy 10 V
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
BSS138K |
MOSFET 50V NCh Tryb wzmocnienia poziomu logicznego FET
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
2N7002WT1G |
MOSFET MAŁY SYGNAŁ MOSFET 6,8 V LO C
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
DMG1012T-7 |
MOSFET MOSFET N-KANAŁ SOT-523
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
BSC039N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
SUMA110P08-11L-E3 |
MOSFET 80V 110A 375W
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500 V N-Ch Q-FET zaawansowanej serii C
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
IXTT20N50D |
MOSFET 20 A, 500 V, 0,33 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFK200N10P |
MOSFET 200 A 100 V 0,0075 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXTQ50N25T |
MOSFET 50 amperów 250 V
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
DMG2302UK-7 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8 V-24 V
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction klasy X2
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
Wymagania dotyczące: |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IXFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
FQB34P10TM |
MOSFET 100 V z kanałem P QFET
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
FQP14N30 |
MOSFET 300 V z kanałem N QFET
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
BSC011N03LSI |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
FQPF2N60C |
MOSFET 600 V z kanałem N Advance Q-FET
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
SQJ974EP-T1_GE3 |
MOSFET N Ch 100 Vds 20 Vgs Kwalifikacja AEC-Q101
|
Siliconix/Vishaya
|
|
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700 V 22,4 A TO247-3
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IPP60R099C6 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700 V 31,2 A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
FDPF10N60NZ |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra złącze X2
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IPL65R230C7 |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
SIR871DP-T1-GE3 |
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
|
Siliconix/Vishaya
|
|
|
|
|
|
DMP2008UFG-7 |
MOSFET 20 V P-CH MOSFET
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
IXTT110N10L2 |
MOSFET Liniowy rozszerzony MOSFET mocy FBSOA
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
SIHG73N60E-GE3 |
MOSFET 600 V 39 mOhm przy 10 V 73 A N-Ch E-SRS
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
SI4559ADY-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60 V 58/120 mohm przy 10 V
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
IXFK44N80P |
MOSFET 44 A, 800 V
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
BSC0906NS |
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFPS37N50APBF |
MOSFET N-Chan 500 V 36 A
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
BSZ097N10NS5 |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
BSC010N04LSI |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
FDMS3500 |
N-kanałowy kanał zasilający MOSFET 75 V
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
FDMS8460 |
N-kanałowy kanał zasilający MOSFET 40 V
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
FDMS86200 |
MOSFET 150 V N-kanałowy MOSFET typu PowerTrench
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
FQP46N15 |
MOSFET 150 V z kanałem N QFET
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
FDS86141 |
MOSFET 100 V z kanałem N PowerTrench MOSFET
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
SI4946BEY-T1-E3 |
MOSFET 60 V 6,5 A 3,7 W
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
SIR462DP-T1-GE3 |
MOSFET 30 V 30 A 41,7 W 7,9 moha przy 10 V
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|