Wymagania w zakresie bezpieczeństwa
producent:
Technologie Infineon
Opis:
MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Polaryzacja tranzystora:
Kanał P
technologii:
Si
Kategoria produktu:
MOSFET
Nazwa handlowa:
OptiMOS
Opakowanie / Pudełko:
TO-252-3
Vds — napięcie przebicia dren-źródło:
- 40 V
Opakowanie:
Rolka
Id — ciągły prąd drenu:
- 85 A
Liczba kanałów:
1 kanał
Rds On — rezystancja drenu-źródła:
6,4 mOhm
Producent:
Infineon Technologies
Wprowadzenie
IPD85P04P4L-06, z Infineon Technologies, jest MOSFET.To, co oferujemy, ma konkurencyjną cenę na rynku globalnym, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Related Products
IPA60R380E6
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
BSC039N06NS
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
Wymagania dotyczące:
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
BSC011N03LSI
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
IPW65R150CFD
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
IPP60R099C6
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
IPW65R110CFD
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
IPL65R230C7
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
BSC0906NS
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
BSZ097N10NS5
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
IPA60R380E6 |
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
|
|
BSC039N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
|
|
|
|
Wymagania dotyczące: |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
|
|
BSC011N03LSI |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
|
|
|
|
IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
|
|
|
|
IPP60R099C6 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
|
|
|
|
IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
|
|
|
IPL65R230C7 |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
|
|
|
|
BSC0906NS |
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
|
|
|
|
BSZ097N10NS5 |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: