Wyślij wiadomość
Do domu > produkty > Półprzewodniki > IXFH170N10P

IXFH170N10P

producent:
IXYS
Opis:
MOSFET 170 A, 100 V, 0,009 Rds
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Polaryzacja tranzystora:
Kanał N
technologii:
Si
Id — ciągły prąd drenu:
170 A
Styl montażu:
Przez dziurę
Nazwa handlowa:
PolarHT, HiPerFET
Minimalna temperatura pracy:
- 55 C
Opakowanie / Pudełko:
TO-247-3
Maksymalna temperatura robocza:
+ 175 C
Tryb kanału:
Wzmocnienie
Vds — napięcie przebicia dren-źródło:
100 V
Opakowanie:
Rurka
Vgs th - Napięcie progowe bramki-źródła:
5 V
Kategoria produktu:
MOSFET
Rds On — rezystancja drenu-źródła:
9 megaomów
Liczba kanałów:
1 kanał
Vgs - napięcie bramka-źródło:
20 V
Qg — Ładunek Bramy:
198 nC
Producent:
IXYS
Wprowadzenie
IXFH170N10P,od IXYS,to MOSFET.To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na światowym rynku,które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: