FDP3632
producent:
Półprzewodnik Fairchilda
Opis:
MOSFET 100 V 80 a, 9 omów/VGS=1 V
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Polaryzacja tranzystora:
Kanał N
technologii:
Si
Id — ciągły prąd drenu:
80 A
Styl montażu:
Przez dziurę
Minimalna temperatura pracy:
- 55 C
Opakowanie / Pudełko:
DO-220-3
Maksymalna temperatura robocza:
+ 175 C
Tryb kanału:
Wzmocnienie
Vds — napięcie przebicia dren-źródło:
100 V
Opakowanie:
Rurka
Kategoria produktu:
MOSFET
Liczba kanałów:
1 kanał
Vgs - napięcie bramka-źródło:
20 V
Rds On — rezystancja drenu-źródła:
7,5 mOhm
Producent:
Półprzewodnik Fairchilda
Wprowadzenie
FDP3632 firmy Fairchild Semiconductor, to MOSFET. To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na globalnym rynku, w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
NDS9948
MOSFET Dual PCh PowerTrench
FQB30N06LTM
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
BSS138K
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET
FQB34P10TM
MOSFET 100V P-Channel QFET
FQP14N30
MOSFET 300V N-Channel QFET
FQPF2N60C
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
FDPF10N60NZ
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
FDMS3500
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
FDMS8460
MOSFET 40V N-Channel Power Trench
FDMS86200
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
NDS9948 |
MOSFET Dual PCh PowerTrench
|
|
|
|
FQB30N06LTM |
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
|
|
|
|
BSS138K |
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET
|
|
|
|
FQB34P10TM |
MOSFET 100V P-Channel QFET
|
|
|
|
FQP14N30 |
MOSFET 300V N-Channel QFET
|
|
|
|
FQPF2N60C |
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
|
|
|
|
FDPF10N60NZ |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
|
|
|
|
FDMS3500 |
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
|
|
|
|
FDMS8460 |
MOSFET 40V N-Channel Power Trench
|
|
|
|
FDMS86200 |
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: