IXTQ50N25T
producent:
IXYS
Opis:
MOSFET 50 amperów 250 V
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Polaryzacja tranzystora:
Kanał N
technologii:
Si
Id — ciągły prąd drenu:
50 A
Styl montażu:
Przez dziurę
Minimalna temperatura pracy:
- 55 C
Opakowanie / Pudełko:
TO-3P-3
Maksymalna temperatura robocza:
+ 150 C
Tryb kanału:
Wzmocnienie
Vds — napięcie przebicia dren-źródło:
250 V
Opakowanie:
Rurka
Vgs th - Napięcie progowe bramki-źródła:
5 V
Kategoria produktu:
MOSFET
Rds On — rezystancja drenu-źródła:
60 miliomów
Liczba kanałów:
1 kanał
Vgs - napięcie bramka-źródło:
30 V
Qg — Ładunek Bramy:
78 nC
Producent:
IXYS
Wprowadzenie
IXTQ50N25T,od IXYS,to MOSFET.To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na światowym rynku,które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Related Products
IXFR64N60Q3
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
IXTT20N50D
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
IXFK200N10P
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
IXFP34N65X2
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
IXFH36N60P
MOSFET 600V 36A
IXFK100N65X2
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
IXTT110N10L2
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
IXFK44N80P
MOSFET 44 Amps 800V
IXFN520N075T2
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFH23N80Q
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
IXFR64N60Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
|
|
|
|
IXTT20N50D |
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
|
|
|
|
IXFK200N10P |
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
|
|
|
|
IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
|
|
|
|
IXFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
|
|
|
|
IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
|
|
|
|
IXTT110N10L2 |
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
|
|
|
|
IXFK44N80P |
MOSFET 44 Amps 800V
|
|
|
|
IXFN520N075T2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
|
|
|
IXFH23N80Q |
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: