SIHG73N60E-GE3
producent:
Vishay półprzewodniki
Opis:
MOSFET 600 V 39 mOhm przy 10 V 73 A N-Ch E-SRS
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
technologii:
Si
Kategoria produktu:
MOSFET
Nazwa handlowa:
TrenchFET
Opakowanie / Pudełko:
TO-247-3
Opakowanie:
Rurka
Producent:
Półprzewodniki firmy Vishay
Wprowadzenie
SIHG73N60E-GE3, od Vishay Semiconductors, to MOSFET. To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na rynku globalnym, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Related Products
SI2312BDS-T1-E3
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
Si1022R-T1-GE3
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
SUMA110P08-11L-E3
MOSFET 80V 110A 375W
SI4559ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
IRFPS37N50APBF
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
SIR462DP-T1-GE3
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
SI2333DS-T1-E3
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
SQM40031EL_GE3
MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
SI2312BDS-T1-E3 |
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
|
|
|
|
Si1022R-T1-GE3 |
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
|
|
|
|
SUMA110P08-11L-E3 |
MOSFET 80V 110A 375W
|
|
|
|
SI4559ADY-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
|
|
|
|
IRFPS37N50APBF |
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
|
|
|
|
SI4946BEY-T1-E3 |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
|
|
|
|
SIR462DP-T1-GE3 |
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
|
|
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
|
|
|
|
SI2333DS-T1-E3 |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
|
|
|
|
SQM40031EL_GE3 |
MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: