NDS9948
Specyfikacje
Polaryzacja tranzystora:
Kanał P
technologii:
Si
Id — ciągły prąd drenu:
- 2,3 A
Styl montażu:
SMD/SMT
Nazwa handlowa:
Trencz mocy
Minimalna temperatura pracy:
- 55 C
Opakowanie / Pudełko:
SO-8
Maksymalna temperatura robocza:
+ 175 C
Tryb kanału:
Wzmocnienie
Vds — napięcie przebicia dren-źródło:
- 60 V
Opakowanie:
Rolka
Kategoria produktu:
MOSFET
Liczba kanałów:
2 kanały
Vgs - napięcie bramka-źródło:
20 V
Rds On — rezystancja drenu-źródła:
138 mOhm
Producent:
Półprzewodnik Fairchilda
Wprowadzenie
NDS9948, od Fairchild Semiconductor, to MOSFET. To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na rynku globalnym, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY

FDP3632
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V

FQB30N06LTM
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

BSS138K
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET

FQB34P10TM
MOSFET 100V P-Channel QFET

FQP14N30
MOSFET 300V N-Channel QFET

FQPF2N60C
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET

FDPF10N60NZ
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II

FDMS3500
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench

FDMS8460
MOSFET 40V N-Channel Power Trench

FDMS86200
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
Obraz | część # | Opis | |
---|---|---|---|
![]() |
FDP3632 |
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
|
|
![]() |
FQB30N06LTM |
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
|
|
![]() |
BSS138K |
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET
|
|
![]() |
FQB34P10TM |
MOSFET 100V P-Channel QFET
|
|
![]() |
FQP14N30 |
MOSFET 300V N-Channel QFET
|
|
![]() |
FQPF2N60C |
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
|
|
![]() |
FDPF10N60NZ |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
|
|
![]() |
FDMS3500 |
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
|
|
![]() |
FDMS8460 |
MOSFET 40V N-Channel Power Trench
|
|
![]() |
FDMS86200 |
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: