Filtry
Filtry
Pamięć
| Obraz | część # | Opis | producent | Akcje | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MT4A1G16WBU-083E:B |
IC DRAM 16G PARALLEL 1,2 GHz
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT4A1G8WE-075E:B |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 GHz
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT40A512M16JY-075E:B |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 GHz
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT25QU256ABA1EW7-0SIT |
Układ scalony FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT35XU512ABA1G12-0AAT |
Serial NOR SLC 64MX8
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90FFIS42 |
Pamięć flash NOR
|
Cyprysowy półprzewodnik
|
|
|
|
|
|
MTA36ASF4G72PZ-2G9E2 |
IC DRAM 288G PARALLEL 1467MHZ
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
TC58NVG2S3ETA |
Pamięć Flash 4 Gb 3,3 V SLC NAND Flash Szeregowa EEPROM
|
Toshiby
|
|
|
|
|
|
MTFC16GAPALBH-AAT |
Układ scalony FLASH 128G MMC
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
THGBMDG5D1LBAIL |
Pamięć Flash 4 GB NAND EEPROM
|
Toshiby
|
|
|
|
|
|
THGBMHG8C2LBAIL |
Pamięć Flash 32 GB NAND EEPROM z CQ
|
Toshiby
|
|
|
|
|
|
MT4rozporządzenie o ochronie środowiska |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
TC58NVG1S3ETAI0 |
Pamięć Flash 1 Gb 3,3 V SLC NAND Flash Szeregowa EEPROM
|
Toshiby
|
|
|
|
|
|
MTFC32GAPALBH-AIT |
IC FLASH 256G MMC
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MTFC64GAJAECE-AAT |
IC FLASH 512G MMC
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MTFC64GAPALBH-AIT |
IC FLASH 512G MMC
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT25QU02GCBB8E12-0SIT |
IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
IS25LQ040B-JNLE-TR |
Pamięć Flash 4Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, ET, T&R
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
N25Q032A13ESE40F |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SOP2
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
S34ML02G104TFI010 |
Pamięć Flash 2G 3V 25ns NAND Flash
|
Cyprysowy półprzewodnik
|
|
|
|
|
|
MT25TL01GBBB8ESF-0AAT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 16SOP2
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
S34ML01G100TFI000 |
Pamięć Flash 1Gb 3V 25ns NAND Flash
|
Rozpiętość / Cyprys
|
|
|
|
|
|
S34ML04G200TFI000 |
Pamięć Flash 4G, 3V, 25ns NAND Flash
|
Cyprysowy półprzewodnik
|
|
|
|
|
|
IS25LQ040B-JBLE-TR |
Pamięć Flash 4Mb QSPI, 8-pin SOP 208Mil, RoHS, ET, T&R
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
S25FL164K0XMFI013 |
Pamięć Flash 64 MB, 3,0 V, 108 MHz Serial NOR Flash
|
Cyprysowy półprzewodnik
|
|
|
|
|
|
IS25LQ512B-JNLE |
Pamięć Flash 512Kb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, ET
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS25LQ040B-JNLE |
Pamięć Flash 4Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, ET
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
Wykorzystanie metalu |
PAMIĘĆ FLASH IC 32MB
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
MT25QL128ABB8E12-0AUT |
Układ scalony FLASH 128M SPI 24TPBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
S29PL032J70BFI120 |
Pamięć Flash 32Mb 3V 70ns Równolegle NOR Flash
|
Cyprysowy półprzewodnik
|
|
|
|
|
|
S34ML01G100BHI000 |
Pamięć Flash 1Gb 3V 25ns NAND Flash
|
Cyprysowy półprzewodnik
|
|
|
|
|
|
K9F5608U0D-PCB0 |
32M x 8-bitowa pamięć NAND Flash
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
K4A8G085WB-BCPB |
SDRAM DDR4 typu B o pojemności 8 GB
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
K4A8G165WC-BCTD |
8 GB pamięci typu B DDR4 SDRAM x16
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
K4B4G0846Q-HYK0 |
Specyfikacja DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
K4T1G164QE-HCE7 |
1 Gb E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA bezołowiowa i bezhalogenowa (zgodna z RoHS)
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
S25FL127SABBHIC00 |
Pamięć Flash 128 MB 3 V 108 MHz, szeregowa pamięć NOR Flash
|
Rozpiętość / Cyprys
|
|
|
|
|
|
K9GAG08U0E-SCB0 |
16-gigabajtowa pamięć elektroniczna NAND Flash
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
K4G20325FD-FC03 |
Pamięć graficzna
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
K4G41325FE-HC28 |
Pamięć graficzna
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
K4E6E304EE-EGCF |
Pamięć Ic
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
S29WS512P0SBFW000 |
Pamięć Flash 512 MB 1,8 V 80 MHz Równoległy NOR Flash
|
Rozpiętość / Cyprys
|
|
|
|
|
|
S29WS256P0PBFW000 |
Pamięć Flash 256Mb 1,8V 66Mhz, równoległa pamięć NOR Flash
|
Rozpiętość / Cyprys
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90TFI030 |
Pamięć Flash 3V 32Mb Float Gate dwa adresy 90s
|
Cyprysowy półprzewodnik
|
|
|
|
|
|
S29GL064N90TFI010 |
Pamięć Flash 64Mb 3V 90ns Równolegle NOR Flash
|
Cyprysowy półprzewodnik
|
|
|
|
|
|
IS42S16320B-6TL |
Pamięć DRAM 512M (32Mx16) 166MHz SDR SDRAM, 3,3V
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
MT25QL01GBBB8E12-0SIT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT2pozycja 2 MT2pozycja 2 |
Układ scalony FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128AL-125KBL |
Pamięć DRAM 2G 1,35 V (128 M x 16) DDR3 SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
K4B1G1646G-BCH9 |
Specyfikacja 1Gb D-die DDR3 SDRAM
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|