THGBMHG8C2LBAIL
producent:
Toshiby
Opis:
Pamięć Flash 32 GB NAND EEPROM z CQ
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Kategoria produktu:
Pamięć flash
Styl montażu:
SMD/SMT
Opakowanie / Pudełko:
FBGA-153
Napięcie zasilania — maks:
3,6 V
Rozmiar pamięci:
32 GB
Opakowanie:
Płytka
Napięcie zasilania — min:
2,7 V
Typ pamięci:
NAND
Zakres temperatury pracy:
- 25 C do + 85 C
Producent:
TOSHIBA
Wprowadzenie
THGBMHG8C2LBAIL, od Toshiba, to pamięć flash. to co oferujemy ma konkurencyjną cenę na rynku globalnym, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem online chatu lub wyślij nam ofertę!
Related Products
TC58NVG3S0FTA00
Flash Memory 8Gb 3.3V SLC NAND Flash Memory EEPROM
/TGBMFG7C1LBAIL
Flash Memory 16GB NAND EEPROM
TC58NVG2S3ETA
Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
THGBMDG5D1LBAIL
Flash Memory 4GB NAND EEPROM
TC58NVG1S3ETAI0
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
/TGBMFG6C1LBAIL
Flash Memory 8GB NAND EEPROM
THGBMHG7C1LBAIL
Flash Memory 16GB NAND EEPROM w/CQ
TC58NVG1S3ETA00
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
TH58NVG4S0FTA20
Flash Memory 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
TH58NVG5S0FTAK0
Flash Memory 32Gb 3.3V IC Flash NAND EEPROM
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
TC58NVG3S0FTA00 |
Flash Memory 8Gb 3.3V SLC NAND Flash Memory EEPROM
|
|
|
|
/TGBMFG7C1LBAIL |
Flash Memory 16GB NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG2S3ETA |
Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
|
|
THGBMDG5D1LBAIL |
Flash Memory 4GB NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG1S3ETAI0 |
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
|
|
/TGBMFG6C1LBAIL |
Flash Memory 8GB NAND EEPROM
|
|
|
|
THGBMHG7C1LBAIL |
Flash Memory 16GB NAND EEPROM w/CQ
|
|
|
|
TC58NVG1S3ETA00 |
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
|
|
TH58NVG4S0FTA20 |
Flash Memory 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
|
|
|
|
TH58NVG5S0FTAK0 |
Flash Memory 32Gb 3.3V IC Flash NAND EEPROM
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: