Filtry
Filtry
Pamięć
| Obraz | część # | Opis | producent | Akcje | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
K4G80325FB-HC25 |
Pamięć graficzna
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
M29DW128G70NF6E |
NOR Flash Równoległy 128Mbit 16 56/56
|
STMikroelektronika
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100C-50KLI-TR |
DRAM 16M, 3,3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Asynchroniczny
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256AL-15HBLI |
Pamięć DRAM 4G, 1,35 V, 1333 MHz DDR3L SDAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
S29CD016J0PQAM113 |
Pamięć flash NOR
|
Cyprysowy półprzewodnik
|
|
|
|
|
|
IS43TR16640A-125JBLI |
Pamięć DRAM 1G, 1,5 V, (64M x 16) 1600 MHz DDR3 SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS41C16100C-50KLI |
DRAM 16M, 5V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM asynchroniczny
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128B-15HBLI |
Pamięć DRAM 2G, 1,5 V, 1333 MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128B-125KBLI |
Pamięć DRAM 2G, 1,5 V, 1600 MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256A-125KBLI |
DRAM 4G, 1,5 V, 1600 MHz DDR3 SDram
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256AL-125KBL |
Pamięć DRAM 4G, 1,35 V, 1600 MHz DDR3L SDAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
S29GL128N90FFAR22 |
Pamięć flash NOR
|
Cyprysowy półprzewodnik
|
|
|
|
|
|
/TGBMFG6C1LBAIL |
Pamięć Flash 8 GB NAND EEPROM
|
Toshiby
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90FFIS30 |
Pamięć Flash 32Mb 3V 90ns, równoległa pamięć NOR Flash
|
Cyprysowy półprzewodnik
|
|
|
|
|
|
TC58BVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3,3 V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
Toshiby
|
|
|
|
|
|
THGBMHG7C1LBAIL |
Pamięć Flash 16 GB NAND EEPROM z CQ
|
Toshiby
|
|
|
|
|
|
S70FL256P0XMFI001 |
Pamięć Flash 256M, 3.0V, 104Mhz SPI NOR Flash
|
Cyprysowy półprzewodnik
|
|
|
|
|
|
S25FL116K0XMFI041 |
Pamięć Flash 16 M, 3 V, 108 MHz, szeregowa pamięć NOR Flash
|
Cyprysowy półprzewodnik
|
|
|
|
|
|
IS25LQ020B-JNLE-TR |
Pamięć Flash 2Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, ET, T&R
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS25LQ032B-JBLE |
Pamięć Flash 32M SPI, 8-pin SOP 208mil ET 2,3-3,6V
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
TC58NVG1S3HBAI4 |
EEPROM 3,3 V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
Toshiby
|
|
|
|
|
|
TC58NVG2S0HBAI4 |
EEPROM 3,3 V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
Toshiby
|
|
|
|
|
|
TC58BVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3,3 V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
Toshiby
|
|
|
|
|
|
S29JL032J70TFI220 |
Pamięć Flash 32 MB Flash 3,0 V 70 ns Równoległy NOR Flash
|
Cyprysowy półprzewodnik
|
|
|
|
|
|
S34MS04G100BHI000 |
Pamięć Flash 4G, 1,8 V, 45 ns NAND Flash
|
Rozpiętość / Cyprys
|
|
|
|
|
|
S34ML01G200BHV000 |
Pamięć Flash Nand
|
Cyprysowy półprzewodnik
|
|
|
|
|
|
S34MS01G100BHI000 |
Pamięć Flash 1G, 1,8 V, 45 ns NAND Flash
|
Rozpiętość / Cyprys
|
|
|
|
|
|
S29GL032N90TFI023 |
Pamięć Flash 32 MB 2,7–3,6 V 90 ns, równoległa pamięć NOR Flash
|
Cyprysowy półprzewodnik
|
|
|
|
|
|
IS25WP016D-JULE-TR |
NOR Flash 16Mb QSPI, 8-stykowe USON 2X3MM, RoHS, T&R
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
TC58NVG1S3HTA00 |
EEPROM 3,3 V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
Toshiby
|
|
|
|
|
|
TC58BVG1S3HTA00 |
EEPROM 3,3 V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
Toshiby
|
|
|
|
|
|
TC58NVG0S3HTA00 |
EEPROM 3,3 V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
Toshiby
|
|
|
|
|
|
TC58BVG2S0HTAI0 |
EEPROM 3,3 V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
Toshiby
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256A-125KBLI-TR |
Pamięć DRAM 4G, 1,5 V, 1600 MHz DDR3
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256A-107MBLI |
Pamięć DRAM 4G, 1,5 V, 1866 MHz 256Mx16 DDR3 SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128CL-125KBL |
DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1,35V
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128B-15HBL |
Pamięć DRAM 2G, 1,5 V, 1333 MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16512AL-125KBL |
DRAM DDR3L, 8G, 1,5 V, RoHs 1600MT/s, 512Mx16
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43DR16128B-25EBLI |
DRAM 2G, 1,8 V, DDR2, 128 Mx16, 400 MHz @ CL6, 84 kulki BGA (10,5 mm x 13,5 mm) RoHS, IT
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16256AL-125KBLI |
Pamięć DRAM 4G, 1,35 V, 1600 MHz DDR3L SDAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS46TR16128B-15HBLA1 |
DRAM Automotive (Tc: -40 do +95°C), 2G, 1,5 V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 kulek BGA (9mm x
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100C-50TLI |
DRAM 16M, 3,3V, 50ns 1Mx16 EDO DRAM Asynchroniczny
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16128BL-125KBL |
Pamięć DRAM 2G, 1,35 V, 1600 MT/s 128Mx16 DDR3L SDRAM
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
IS43TR16512AL-125KBLI |
DRAM DDR3L,8G,1,35V,RoHs 1600MT/s,512Mx16,IT
|
ISSI
|
|
|
|
|
|
MT40A512M16TB-062E:J |
DRAM DDR4 8G 512Mx16 FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
S29GL512P11FFI020 |
Pamięć Flash 512Mb 3V 110ns, równoległa pamięć NOR Flash
|
Cyprysowy półprzewodnik
|
|
|
|
|
|
S25FL116K0XMFI011 |
Pamięć Flash 16 M, 3 V, 108 MHz, szeregowa pamięć NOR Flash
|
Cyprysowy półprzewodnik
|
|
|
|
|
|
TC58NVG1S3ETA00 |
Pamięć Flash 1 Gb 3,3 V SLC NAND Flash Szeregowa EEPROM
|
Toshiby
|
|
|
|
|
|
TH58NVG4S0FTA20 |
Pamięć Flash 3,3 V 16 Gb NAND EEPROM
|
Toshiby
|
|
|
|
|
|
DS2432P+T&R |
EEPROM
|
ADI / Urządzenia analogowe Inc.
|
|
|