Filtry
Filtry
MOSFET
| Obraz | część # | Opis | producent | Akcje | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQD18N20V2TM |
Seria MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 |
MOSFET 30 V 11,4 A 5,0 W 24 mohm przy 10 V
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60 V 2,6 A, kanał P
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
BSS123,215 |
MOSFET N-CH TRNCH 100V .15A
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
IXFN520N075T2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
SI2333DS-T1-E3 |
MOSFET 12 V 5,3 A 1,25 W 32 momy przy 4,5 V
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
SPW47N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
SQM40031EL_GE3 |
MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 Kwalifikacja
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
SUM70060E-GE3 |
MOSFET 100 V Vds 131A Id 0,0056 Vgs Rds (wł.)
|
Siliconix/Vishaya
|
|
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4,5A 8-SO
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
IRFS4410ZTRLPBF |
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
TK20A60U |
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
|
Toshiby
|
|
|
|
|
|
IPA60R400CE |
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
IXFH23N80Q |
MOSFET 23 A 800 V 0,40 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFN80N50Q2 |
MOSFET 80 A, 500 V, 0,06 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFX32N50 |
MOSFET 32 A, 500 V, 0,16 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFH13N80 |
MOSFET 800V 13A
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
DMP6023LFGQ-13 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41 V-60 V
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
IXTQ96N15P |
MOSFET 96 A, 150 V, 0,024 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
SQ1440EH-T1_GE3 |
MOSFET 60 V Vds +/-20 V Vgs Kwalifikacja AEC-Q101
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
IXFH170N10P |
MOSFET 170 A, 100 V, 0,009 Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFK180N10 |
MOSFET 100V 180A
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
URZĄDZENIE PRZEŁĄCZAJĄCE MOSFET
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
SPA17N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
ONSEM
|
|
|
|
|
|
SI2312CDS-T1-GE3 |
MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
SI7938DP-T1-GE3 |
MOSFET 40 V 60 A 46 W 5,8 mohm przy 10 V
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
SI7252DP-T1-GE3 |
MOSFET 100 V 17 mOhm przy 10 V 36,7 A N-Ch MV T-FET
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
IPT007N06N |
MOSFET ZRÓŻNICOWANY MOSFET
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
BSC028N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
FDT434P |
MOSFET SOT-223 P-CH -20V
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
IRF7343TRPBF |
MOSFET MOSFT PODWÓJNY N/PCh 55 V 4,7 A
|
IR/Infineon
|
|
|
|
|
|
SSM3J328R |
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
|
Toshiby
|
|
|
|
|
|
SI1539CDL-T1-GE3 |
MOSFET 30 V, 0,7 A, 0,34 W
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
2N7002DW-7-F |
MOSFET 60V 200mW
|
Diody wbudowane
|
|
|
|
|
|
IXFH46N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/46A Ultra złącze X2
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXTP60N10T |
MOSFET MOSFET Id60 BVdass100
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXTP60N20T |
MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET 200 V, 60 A
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IPW60R070P6 |
MOSFET WYSOKA MOC CENA/WYDAJNOŚĆ
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
SI3932DV-T1-GE3 |
MOSFET 30 V 3,7 A PODWÓJNY MOSFET N-CH
|
Vishay półprzewodniki
|
|
|
|
|
|
FDA20N50F |
Kanał N MOSFET 500 V
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
BSC040N10NS5 |
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
FQA46N15 |
MOSFET 150 V z kanałem N QFET
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
FDP51N25 |
MOSFET 250 V z kanałem N MOSFET
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
FQP27N25 |
MOSFET 250 V z kanałem N QFET
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
FDMS86104 |
MOSFET 100 V z kanałem N PowerTrench MOSFET
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|
|
|
|
IRFB5615PBF |
MOSFET Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
|
Technologie Infineon
|
|
|
|
|
|
FQPF6N90C |
MOSFET 900 V N-Ch Q-FET zaawansowanej serii C
|
Półprzewodnik Fairchilda
|
|
|