NTLJS4114NT1G
producent:
ONSEM
Opis:
MOSFET N-CH 30V 3,6A 6-WDFN
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Kategoria produktu:
MOSFET
Vgs (maks.):
±12 V
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C:
3,6A (Ta)
@ ilość:
0
Typ FET:
Kanał N
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:
13nC @ 4,5 V
Producent:
pół
Minimalna ilość:
3000
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.):
1,8 V, 4,5 V
Zapas fabryczny:
0
Temperatura pracy:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Funkcja FET:
-
Zestaw:
µCool™
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:
650 pF przy 15 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
6-WDFN (2x2)
Stan części:
Aktywny
Opakowanie:
Taśma i szpula (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
35 mOhm przy 2 A, 4,5 V
Rozpraszanie mocy (maks.):
700 mW (Ta)
Opakowanie / Pudełko:
6-WDFN Odsłonięta podkładka
technologii:
MOSFET (tlenek metalu)
Vgs(th) (Maks.) @ Id:
1 V przy 250µA
Napięcie od drenu do źródła (Vdss):
30V
Wprowadzenie
NTLJS4114NT1G,od onsemi,jest MOSFET.To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na rynku globalnym,które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
|
|
2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
|
|
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: