Filtry
Filtry
Pamięć
| Obraz | część # | Opis | producent | Akcje | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
N25Q128A11ESE40G |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SO
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
N25Q256A13EF840E |
IC FLASH 256M SPI 108MHZ 8VDFPN
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT41J256M8HX-187E: |
IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT29F4G16ABADAWP-IT:D |
IC FLASH 4G RÓWNOLEGŁY 48TSOP I
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MTA9ASF1G72PZ-2G9E1 |
Układ scalony DRAM 72G RÓWNOLEGŁY 1467 MHz
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT46V16M16P-5B:M |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MTFC16GAPALBH-AIT |
Układ scalony FLASH 128G MMC
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MTFC32GAPALNA-AAT |
IC FLASH 256G MMC
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
W971GG6KB25I |
IC DRAM 1G RÓWNOLEGŁY 84WBGA
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
MTFC8GAMALBH-AAT |
Układ scalony FLASH 64G MMC
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT47H128M8CF-3:H |
IC DRAM 1G RÓWNOLEGŁY 60FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
W632GG6KB-15 |
IC DRAM 2G RÓWNOLEGŁY 96WBGA
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
W25Q32FVSSIG |
Układ scalony FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
W25Q256FVEIG |
Układ scalony FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
W25Q16DVSSIG |
Układ scalony FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
MT48LC4M16A2P-7E:G |
IC DRAM 64M RÓWNOLEGLE 54TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT29F8G08ABABAWP-ITX:B |
IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
N25Q064A13ESF40F |
Układ scalony FLASH 64M SPI 108MHZ 16SO W
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F |
IC FLASH 4G SPI UPDFN
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT2F128G08AJAAAWP-IT:A |
IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP I
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT29F1G08ABADAWP:D |
IC FLASH 1G RÓWNOLEGŁY 48TSOP I
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT29F1G08ABBDAHC:D |
IC FLASH 1G RÓWNOLEGŁY 63VFBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT2S2S1S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S |
Układ scalony FLASH 2G SPI 63VFBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
/Wydaje się, że to nieprawda. |
IC FLASH 4G RÓWNOLEGŁY 63VFBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT29F8G08ADBDAH4:D |
IC FLASH 8G RÓWNOLEGŁY 63VFBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MTFC16GAPALNA-AIT |
EMMC 128G MMC5.1 J56X AT
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MTFC64GAPALNA-AIT |
EMMC 512G MMC5.1 J58X AT
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT4W3W3W3W3W3W3 |
IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
W25Q128BVEIG |
Układ scalony FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
W29GL064CB7 |
IC FLASH 64M RÓWNOLEGLE 48TSOP
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
W972GG6JB-3 |
IC DRAM 2G Parallel 84WBGA
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
W25Q128FVRYS |
Układ scalony FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
JS28F128J3F75A |
IC FLASH 128M RÓWNOLEGLE 56TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
N25Q512A13G1240E |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
N25Q128A13EF840E |
Układ scalony FLASH 128M SPI 108MHZ 8VDFPN
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
N25Q256A13ESF40G |
Układ scalony FLASH 256M SPI 108MHZ 16SOP2
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT41J128M16JT-125:K |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
W9412G6JH-4 |
IC DRAM 128M RÓWNOLEGLE 66TSOP II
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT3pozycja MT3pozycja MT3pozycja MT3pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja |
IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT25QL512ABB8E12-0SIT |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E |
IC FLASH 1G RÓWNOLEGŁY 63VFBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
N25Q032A11ESE40G |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SO
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT29F4G08ABEAAWP-IT:E |
IC FLASH 4G RÓWNOLEGLE 48TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
W25Q256FVEJF |
PAMIĘĆ FLASH IC 256MB
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
MT41J128M16JT-107G:K |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT41J256M16HA-125:E |
IC DRAM 4G RÓWNOLEGŁY 96FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT41K128M16JT-125:K |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT41K512M16TNA-125:E |
IC DRAM 8G RÓWNOLEGŁY 96FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT41K512M8RH-125:E |
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
TC58NVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3,3 V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
Toshiby
|
|
|