Filtry
Filtry
Pamięć
| Obraz | część # | Opis | producent | Akcje | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MT29F4G08ABADAWP:D |
IC FLASH 4G RÓWNOLEGLE 48TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT29F32G08CBADBWPR: |
IC FLASH 32G RÓWNOLEGLE 48TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT25QU01GBBB8ESF-0SIT |
Układ scalony FLASH 1G SPI 166MHZ 16SOP2
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
Wykorzystanie urządzeń do przechowywania danych |
Układ scalony FLASH 2M SPI 75MHZ 8SOIC
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
PC28F128J3D75A |
IC FLASH 128M RÓWNOLEGLE 64EASYBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT49H16M36SJ-25E:B |
IC DRAM 576M RÓWNOLEGLE 144FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
M29W128GH70N6E |
IC FLASH 128M RÓWNOLEGLE 56TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
Wykorzystanie W25X16VSSIG |
Układ scalony FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
W25Q80JVSNIQ |
Układ scalony FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
N25Q032A13ESC40F |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SOP2
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
RC28F128J3C150 |
IC FLASH 128M RÓWNOLEGLE 64EASYBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
M28W160CT70N6E |
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
S29GL256N11TFI010 |
Pamięć Flash w trybie stronicowym 3,0 V z technologią procesową MirrorBit™ 110 nm
|
Rozpiętość / Cyprys
|
|
|
|
|
|
K9F4G08U0B-PCB0 |
Pamięć Flash NAND 512M x 8 bitów / 1G x 8 bitów
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
W25X16AVSSIG |
Układ scalony FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
W25X64VSFYS |
IC FLASH 64M SPI 75MHZ 16SOIC
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
K4S641632K-UC60 |
SDRAM 64Mb K-die
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
K9F2G08U0D-SCB0 |
256M x 8-bitowa pamięć NAND Flash
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
K9K8G08U0A-PIB0 |
Pamięć flash NAND 1G x 8 bitów / 2G x 8 bitów
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
S29JL032H70TFI010 |
PAMIĘĆ FLASH 32M BIT CMOS 3,0 V
|
Rozpiętość / Cyprys
|
|
|
|
|
|
KLUEG8U1EM-B0B1 |
Pamięć Ic
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
PC28F256M29EWLA |
IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT25QL128ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT25QU128ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT28EW01GABA1HPC-0SIT |
IC FLASH 1G RÓWNOLEGŁY 64LBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT28EW512ABA1HJS-0SIT |
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
M29W400DB55N6E |
IC FLASH 4M RÓWNOLEGLE 48TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT25QU256ABA1EW9-0SIT |
Układ scalony FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
NT1pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2po |
IC FLASH 128M PARALLEL 56VFBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT25QL512ABB8E12-0AUT |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D |
IC DRAM 4G RÓWNOLEGŁY 533 MHz
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT25QU01GBBB8E12-0AUT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MTFC8GACAENS-AAT |
Układ scalony FLASH 64G MMC
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
M29W256GL70N6E |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT40A512M16LY-075:E |
IC DRAM 8G PARALLEL 1,33 GHz
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT25QL02GCBB8E12-0AAT |
IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D |
IC FLASH 32G RÓWNOLEGLE 166 MHz
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
JS28F256J3F105A |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
W9425G6EH-5 |
IC DRAM 256M RÓWNOLEGLE 66TSOP II
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
MT40A1G8SA-062E:E |
IC DRAM 8G RÓWNOLEGŁY 1,6 GHz
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
PC28F00AM29EWHA |
IC FLASH 1G RÓWNOLEGŁY 64FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
PC28F00AP30EFA |
IC FLASH 1G RÓWNOLEGŁY 64EASYBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
JS28F00AP33TFA |
IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
PC28F512P30EFA |
IC FLASH 512M RÓWNOLEGLE 64EASYBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
JS28F512P33TFA |
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
JS28F512P30BFA |
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
W25X20AVSNIG |
Układ scalony FLASH 2M SPI 100MHZ 8SOIC
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
W25Q64BVSFIG |
Układ scalony FLASH 64M SPI 80MHZ 16SOIC
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
Wykorzystanie metalu |
Układ scalony FLASH 1M SPI 104MHZ 8SOIC
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
Wykorzystanie danych osobowych |
Układ scalony FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
|
Elektronika Winbonda
|
|
|