EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D
producent:
Technologia Mikron
Opis:
IC DRAM 4G RÓWNOLEGŁY 533 MHz
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
technologii:
SDRAM - Mobilny LPDDR2
Kategoria produktu:
Układy scalone pamięci
Typ pamięci:
Lotny
Zapas fabryczny:
0
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
-
Czas dostępu:
-
Format pamięci:
NAPARSTEK
Stan części:
Aktywny
Rozmiar pamięci:
4 GB (128 MB x 32)
Opakowanie:
-
@ ilość:
0
Temperatura pracy:
-40°C ~ 105°C (TC)
Minimalna ilość:
2100
Interfejs pamięci:
Równoległy
Opakowanie / Pudełko:
-
Rodzaj montażu:
-
Częstotliwość zegara:
533MHz
Napięcie - zasilanie:
1,14 V ~ 1,95 V
Zestaw:
-
Producent:
Technologia mikronowa
Wprowadzenie
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D, od Micron Technology, to układy pamięciowe IC.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem online chatu lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
MT40A512M8RH-083E:B
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
MT25QL256ABA8ESF-0SIT
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2
M29W160EB70N6E
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
M29W320EB70N6E
IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP
MT25QL128ABA1EW7-0SIT
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
MT48LC4M32B2TG-7:G
IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
M25P64-VMF6P
IC FLASH 64M SPI 50MHZ 16SO W
JS28F640J3D75A
IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP
JS28F128J3D75A
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
M25P16-VMN6TP
IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SO
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
MT40A512M8RH-083E:B |
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
MT25QL256ABA8ESF-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2
|
|
|
|
M29W160EB70N6E |
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
|
|
|
|
M29W320EB70N6E |
IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP
|
|
|
|
MT25QL128ABA1EW7-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
|
|
|
MT48LC4M32B2TG-7:G |
IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
IC FLASH 64M SPI 50MHZ 16SO W
|
|
|
|
JS28F640J3D75A |
IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP
|
|
|
|
JS28F128J3D75A |
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
|
|
|
|
M25P16-VMN6TP |
IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SO
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: