Wyślij wiadomość

PMV60ENEAR

producent:
Nexperia USA Inc.
Opis:
MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
75mOhm @ 3A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR) Taśma cięcia (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (maks.):
±20 V
Product Status:
Active
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:
180 pF przy 20 V
Mounting Type:
Surface Mount
Zestaw:
Motoryzacja, AEC-Q101
Supplier Device Package:
TO-236AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3A (Ta)
Power Dissipation (Max):
615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
PMV60
Wprowadzenie
N-kanał 40 V 3A (Ta) 615mW (Ta), 7.5W (Tc) Nawierzchnia TO-236AB
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: