logo
Wyślij wiadomość
Do domu > producenci >

Półprzewodnik Fairchilda

Półprzewodnik Fairchilda
Obraz część # Opis producent Akcje RFQ
FDP3632

FDP3632

MOSFET 100 V 80 a, 9 omów/VGS=1 V
NDS9948

NDS9948

MOSFET Dual PCh PowerTrench
FQB30N06LTM

FQB30N06LTM

Poziom logiczny QFET z kanałem N MOSFET 60 V
BSS138K

BSS138K

MOSFET 50V NCh Tryb wzmocnienia poziomu logicznego FET
FQB34P10TM

FQB34P10TM

MOSFET 100 V z kanałem P QFET
FQP14N30

FQP14N30

MOSFET 300 V z kanałem N QFET
FQPF2N60C

FQPF2N60C

MOSFET 600 V z kanałem N Advance Q-FET
FDPF10N60NZ

FDPF10N60NZ

MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
FDMS3500

FDMS3500

N-kanałowy kanał zasilający MOSFET 75 V
FDMS8460

FDMS8460

N-kanałowy kanał zasilający MOSFET 40 V
FDMS86200

FDMS86200

MOSFET 150 V N-kanałowy MOSFET typu PowerTrench
FQP46N15

FQP46N15

MOSFET 150 V z kanałem N QFET
FDS86141

FDS86141

MOSFET 100 V z kanałem N PowerTrench MOSFET
FQD18N20V2TM

FQD18N20V2TM

Seria MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2
FDT434P

FDT434P

MOSFET SOT-223 P-CH -20V
FDA20N50F

FDA20N50F

Kanał N MOSFET 500 V
FQA46N15

FQA46N15

MOSFET 150 V z kanałem N QFET
FDP51N25

FDP51N25

MOSFET 250 V z kanałem N MOSFET
FQP27N25

FQP27N25

MOSFET 250 V z kanałem N QFET
FDMS86104

FDMS86104

MOSFET 100 V z kanałem N PowerTrench MOSFET
FQPF6N90C

FQPF6N90C

MOSFET 900 V N-Ch Q-FET zaawansowanej serii C
FQP2N60C

FQP2N60C

MOSFET 600 V z kanałem N Advance Q-FET
FQP3P20

FQP3P20

MOSFET 200 V z kanałem P QFET
FDC2512

FDC2512

Trench zasilający MOSFET 150 V NCh
FDP090N10

FDP090N10

MOSFET 100V 75A N-Chan PowerTrench
FQP17N40

FQP17N40

MOSFET 400 V z kanałem N QFET
2N7000TA

2N7000TA

MOSFET 60V N-kanał Sm Sig
FCPF190N60E

FCPF190N60E

MOSFET 600 V N-CHAN MOSFET
FDMC7570S

FDMC7570S

MOSFET 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET
FDD6688

FDD6688

MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
FDS4465

FDS4465

MOSFET SO-8
FDS6298

FDS6298

MOSFET 30V N-CH Szybki przełącznik MOSFET PwrTrenCH
FQPF8N60C

FQPF8N60C

MOSFET 600 V N-Ch Q-FET zaawansowanej serii C
FQPF8N80C

FQPF8N80C

MOSFET 800 V N-Ch Q-FET zaawansowanej serii C
FQP6N90C

FQP6N90C

MOSFET 900 V N-Ch Q-FET zaawansowanej serii C
FQB9P25TM

FQB9P25TM

MOSFET 250 V z kanałem P QFET
FDMC8884

FDMC8884

N-kanałowy kanał zasilający MOSFET 30 V
FQA90N15

FQA90N15

MOSFET 150 V z kanałem N QFET
FDA59N30

FDA59N30

MOSFET 500 V NCH MOSFET
FQP22N30

FQP22N30

MOSFET 300 V z kanałem N QFET
FQP4P40

FQP4P40

MOSFET 400 V z kanałem P QFET
FQP70N10

FQP70N10

MOSFET 100 V z kanałem N QFET
FDMC86139P

FDMC86139P

MOSFET PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet
FQPF7N80C

FQPF7N80C

MOSFET 800 V N-Ch Q-FET zaawansowanej serii C
FQB12P20TM

FQB12P20TM

MOSFET 200 V z kanałem P QFET
FQT4N20LTF

FQT4N20LTF

Pojedynczy MOSFET 200 V
FDD8874

FDD8874

MOSFET 30V N-kanał
2N7002DW

2N7002DW

Efekt polowy trybu wzmocnienia MOSFET N-Chan
FDP075N15A_F102

FDP075N15A_F102

MOSFET 150 V NChan PwrTrench
FDPF20N50

FDPF20N50

MOSFET 500 V N-CH MOSFET
1 2 3 4 5 6 7 8