2N7000TA
Specyfikacje
Polaryzacja tranzystora:
Kanał N
technologii:
Si
Kategoria produktu:
MOSFET
Styl montażu:
Przez dziurę
Minimalna temperatura pracy:
- 55 C
Opakowanie / Pudełko:
TO-92-3
Maksymalna temperatura robocza:
+ 150 C
Vds — napięcie przebicia dren-źródło:
60 V
Opakowanie:
Pakiet amunicji
Id — ciągły prąd drenu:
200 mA
Liczba kanałów:
1 kanał
Vgs - napięcie bramka-źródło:
20 V
Rds On — rezystancja drenu-źródła:
1,2 oma
Producent:
Półprzewodnik Fairchilda
Wprowadzenie
2N7000TA, od Fairchild Semiconductor, to MOSFET. To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na globalnym rynku, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
FDP3632
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
NDS9948
MOSFET Dual PCh PowerTrench
FQB30N06LTM
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
BSS138K
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET
FQB34P10TM
MOSFET 100V P-Channel QFET
FQP14N30
MOSFET 300V N-Channel QFET
FQPF2N60C
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
FDPF10N60NZ
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
FDMS3500
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
FDMS8460
MOSFET 40V N-Channel Power Trench
FDMS86200
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
FQP46N15
MOSFET 150V N-Channel QFET
FDS86141
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
FQD18N20V2TM
MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series
FDT434P
MOSFET SOT-223 P-CH -20V
FDA20N50F
MOSFET 500V N-Channel
FQA46N15
MOSFET 150V N-Channel QFET
FDP51N25
MOSFET 250V N-Channel MOSFET
FQP27N25
MOSFET 250V N-Channel QFET
FDMS86104
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
FQPF6N90C
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
FQP2N60C
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
FQP3P20
MOSFET 200V P-Channel QFET
FDC2512
MOSFET 150V NCh PowerTrench
FDP090N10
MOSFET 100V 75A N-Chan PowerTrench
FQP17N40
MOSFET 400V N-Channel QFET
FCPF190N60E
MOSFET 600V N-CHAN MOSFET
FDMC7570S
MOSFET 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET
FDD6688
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
FDS4465
MOSFET SO-8
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
FDP3632 |
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
|
|
|
|
NDS9948 |
MOSFET Dual PCh PowerTrench
|
|
|
|
FQB30N06LTM |
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
|
|
|
|
BSS138K |
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET
|
|
|
|
FQB34P10TM |
MOSFET 100V P-Channel QFET
|
|
|
|
FQP14N30 |
MOSFET 300V N-Channel QFET
|
|
|
|
FQPF2N60C |
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
|
|
|
|
FDPF10N60NZ |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
|
|
|
|
FDMS3500 |
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
|
|
|
|
FDMS8460 |
MOSFET 40V N-Channel Power Trench
|
|
|
|
FDMS86200 |
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
|
|
|
|
FQP46N15 |
MOSFET 150V N-Channel QFET
|
|
|
|
FDS86141 |
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
|
|
|
|
FQD18N20V2TM |
MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series
|
|
|
|
FDT434P |
MOSFET SOT-223 P-CH -20V
|
|
|
|
FDA20N50F |
MOSFET 500V N-Channel
|
|
|
|
FQA46N15 |
MOSFET 150V N-Channel QFET
|
|
|
|
FDP51N25 |
MOSFET 250V N-Channel MOSFET
|
|
|
|
FQP27N25 |
MOSFET 250V N-Channel QFET
|
|
|
|
FDMS86104 |
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
|
|
|
|
FQPF6N90C |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
|
|
FQP2N60C |
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
|
|
|
|
FQP3P20 |
MOSFET 200V P-Channel QFET
|
|
|
|
FDC2512 |
MOSFET 150V NCh PowerTrench
|
|
|
|
FDP090N10 |
MOSFET 100V 75A N-Chan PowerTrench
|
|
|
|
FQP17N40 |
MOSFET 400V N-Channel QFET
|
|
|
|
FCPF190N60E |
MOSFET 600V N-CHAN MOSFET
|
|
|
|
FDMC7570S |
MOSFET 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET
|
|
|
|
FDD6688 |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
|
|
|
|
FDS4465 |
MOSFET SO-8
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ:

