IXTK170P10P

producent:
IXYS
Opis:
MOSFET P-CH 100V 170A TO264
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 1mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-264-3, TO-264AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
240 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
12mOhm @ 500mA, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
12600 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
PolarP™
Supplier Device Package:
TO-264 (IXTK)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
170A (Tc)
Power Dissipation (Max):
890W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTK170
Wprowadzenie
P-kanał 100 V 170A (Tc) 890W (Tc) przez otwór TO-264 (IXTK)
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: