IXFN38N100Q2
producent:
IXYS
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (Maks.) @ Id:
5 V przy 8 mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Opakowanie / Pudełko:
SOT-227-4, miniBLOK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
250 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
250 mOhm przy 19 A, 10 V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Not For New Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
7200 pF @ 25 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Series:
HiPerFET™, Q2 Class
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
38A (Tc)
Power Dissipation (Max):
890W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFN38
Wprowadzenie
N-kanał 1000 V 38A (Tc) 890W (Tc) Podwozie SOT-227B
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