IXFN210N30P3
producent:
IXYS
Opis:
MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (Maks.) @ Id:
5 V przy 8 mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Opakowanie / Pudełko:
SOT-227-4, miniBLOK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
268 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
14,5 mOhm przy 105 A, 10 V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
300 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
16200 pF @ 25 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Series:
HiPerFET™, Polar3™
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
192A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1500W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFN210
Wprowadzenie
N-kanał 300 V 192A (Tc) 1500W (Tc) Podwozie SOT-227B
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
IXFK120N20
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IXFH20N80Q
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IXFN32N100Q3
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IXFN48N50
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
| Obraz | część # | Opis | |
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IXFK120N20 |
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
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IXFK27N80 |
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
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IXFH20N80Q |
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
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IXFH15N80 |
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
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IXFH26N50Q |
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
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IXFH12N90 |
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
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IXFH13N50 |
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
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IXFN32N120P |
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
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IXFN32N100Q3 |
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
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IXFN36N100 |
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
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IXFN38N100Q2 |
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
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IXFN44N100P |
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
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IXTB30N100L |
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
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IXFN130N30 |
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
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IXFN70N60Q2 |
MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
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IXFN48N50 |
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
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