IXFN48N50
producent:
IXYS
Opis:
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 8mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Opakowanie / Pudełko:
SOT-227-4, miniBLOK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
270 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
100 mOhm @ 500 mA, 10 V
FET Type:
N-Channel
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.):
10V
Package:
Tube
Napięcie od drenu do źródła (Vdss):
500 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Not For New Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
8400 pF @ 25 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Series:
HiPerFET™
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
48A (Tc)
Power Dissipation (Max):
520W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFN48
Wprowadzenie
N-kanał 500 V 48A (Tc) 520W (Tc) Podwozie zamontowane SOT-227B
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