IXTP80N10T

producent:
IXYS
Opis:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Maks.) @ Id:
5V przy 100µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Opakowanie / Pudełko:
DO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
60 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
14mOhm @ 25A, 10V
FET Type:
N-Channel
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3040 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
Trench
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
80A (Tc)
Power Dissipation (Max):
230W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTP80
Wprowadzenie
N-kanał 100 V 80A (Tc) 230W (Tc) przez otwór TO-220-3
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: