SJPX-F2VR
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody
Status produktu:
Aktywny
Prąd — upływ wsteczny @ Vr:
10 μA @ 200 V
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli:
980 mV przy 1,5 A
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
-
Pojemność @ Vr, F:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
SJP
Czas przywracania wstecznego (trr):
30 sekund
Mfr:
Sanken Electric USA Inc.
technologii:
Standardowy
Temperatura robocza — złącze:
-40°C ~ 150°C
Opakowanie / Pudełko:
2-SMD, przewód J
Napięcie — prąd stały wsteczny (Vr) (maks.):
200 V
Prąd - średni rektyfikowany (Io):
1.5A
Prędkość:
Szybkie odzyskiwanie =< 500ns, > 200mA (Io)
Numer produktu podstawowego:
SJPX-F2
Wprowadzenie
Dioda 200 V 1,5 A Nawierzchnia SJP
Related Products

FMY-1106S
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F

SJPB-H9VL
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP

SJPL-H2VL
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP

SJPB-H6VR
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP

FMD-G26S
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F

SARS01V1
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL

SARS05VL
DIODE GEN PURP 800V 1A SMD
Obraz | część # | Opis | |
---|---|---|---|
![]() |
FMY-1106S |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
|
|
![]() |
SJPB-H9VL |
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
|
|
![]() |
SJPL-H2VL |
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
|
|
![]() |
SJPB-H6VR |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
|
|
![]() |
FMD-G26S |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
|
|
![]() |
SARS01V1 |
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
|
|
![]() |
SARS05VL |
DIODE GEN PURP 800V 1A SMD
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: