SARS05VL
producent:
Sanken Electric USA Inc.
Opis:
DIODA GEN PURP 800V 1A SMD
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody
Status produktu:
Aktywny
Prąd — upływ wsteczny @ Vr:
5 μA @ 800 V
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli:
1,05 V przy 1 A
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
-
Pojemność @ Vr, F:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
SMD
Czas przywracania wstecznego (trr):
19 µs
Mfr:
Sanken Electric USA Inc.
technologii:
Standardowy
Temperatura robocza — złącze:
-40°C ~ 150°C
Opakowanie / Pudełko:
2-SMD, przewód J
Napięcie — prąd stały wsteczny (Vr) (maks.):
800 V
Prąd - średni rektyfikowany (Io):
1A
Prędkość:
Standardowe odzyskiwanie >500ns, >200mA (Io)
Numer produktu podstawowego:
SARS05
Wprowadzenie
Dioda 800 V 1A SMD na powierzchni
Related Products
FMY-1106S
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
SJPB-H9VL
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
SJPL-H2VL
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
SJPB-H6VR
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
FMD-G26S
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
SARS01V1
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
SJPX-F2VR
DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
FMY-1106S |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
|
|
|
|
SJPB-H9VL |
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
|
|
|
|
SJPL-H2VL |
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
|
|
|
|
SJPB-H6VR |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
|
|
|
|
FMD-G26S |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
|
|
|
|
SARS01V1 |
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
|
|
|
|
SJPX-F2VR |
DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: