Filtry
Filtry
Układy scalone pamięci
| Obraz | część # | Opis | producent | Akcje | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
W25Q128BVEIG |
Układ scalony FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
W29GL064CB7 |
IC FLASH 64M RÓWNOLEGLE 48TSOP
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
W972GG6JB-3 |
IC DRAM 2G Parallel 84WBGA
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
W25Q128FVRYS |
Układ scalony FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
JS28F128J3F75A |
IC FLASH 128M RÓWNOLEGLE 56TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
N25Q512A13G1240E |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
N25Q128A13EF840E |
Układ scalony FLASH 128M SPI 108MHZ 8VDFPN
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
N25Q256A13ESF40G |
Układ scalony FLASH 256M SPI 108MHZ 16SOP2
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT41J128M16JT-125:K |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
W9412G6JH-4 |
IC DRAM 128M RÓWNOLEGLE 66TSOP II
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT2pozycja MT3pozycja MT3pozycja MT3pozycja MT3pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja MT4pozycja |
IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT25QL512ABB8E12-0SIT |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E |
IC FLASH 1G RÓWNOLEGŁY 63VFBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
N25Q032A11ESE40G |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SO
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT29F4G08ABEAAWP-IT:E |
IC FLASH 4G RÓWNOLEGLE 48TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
W25Q256FVEJF |
PAMIĘĆ FLASH IC 256MB
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
MT41J128M16JT-107G:K |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT41J256M16HA-125:E |
IC DRAM 4G RÓWNOLEGŁY 96FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT41K128M16JT-125:K |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT41K512M16TNA-125:E |
IC DRAM 8G RÓWNOLEGŁY 96FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT41K512M8RH-125:E |
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
K4B2G1646F-BCK0 |
96FBGA bezołowiowy i bezhalogenowy
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
K4H511638J-LCCC |
Specyfikacja pamięci DDR SDRAM 512Mb typu C
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
K9F1G08U0E-SCB0 |
Pamięć flash NAND 1 Gb
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
K4W1G1646E-HC12 |
Pamięć graficzna
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
K4T1G084QF-BCF7 |
1 GB pamięci F-die DDR2 SDRAM
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
K4B4G1646D-BCMA |
4Gb B-die DDR3 SDRAM Tylko x16
|
Półprzewodnik Samsung
|
|
|
|
|
|
MT48LC16M16A2P-6A:G |
IC DRAM 256M RÓWNOLEGLE 54TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16A2B4-6A:L |
IC DRAM 128M RÓWNOLEGŁY 54VFBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16A2P-6A:L |
IC DRAM 128M RÓWNOLEGLE 54TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M |
IC DRAM 4G RÓWNOLEGŁY 96FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MTFC4GLGDQ-AIT |
IC FLASH 32G MMC 100LBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C |
IC FLASH 16G RÓWNOLEGLE 48TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT2S1S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S |
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
JS28F256M29EWH |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT2K2K2K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K3K |
IC FLASH 4G RÓWNOLEGŁY 63VFBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT29F8G08ABACAWP-IT:C |
IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
M29W128GH7AN6E |
IC FLASH 128M RÓWNOLEGLE 56TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT41J128M16JT-093:K |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT41J256M16HA-093:E |
IC DRAM 4G RÓWNOLEGŁY 96FBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
N25Q032A13EF440E |
Układ scalony FLASH 32M SPI 108MHZ 8PDFN
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
N25Q128A13EF740E |
Układ scalony FLASH 128M SPI 108MHZ 8VDFPN
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
PC28F320J3F75A |
IC FLASH 32M PARALLEL 64EASYBGA
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT48LC2M32B2P-6A:J |
IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT48LC32M8A2P-6A:G |
IC DRAM 256M RÓWNOLEGLE 54TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
MT48LC4M16A2P-6A:J |
IC DRAM 64M RÓWNOLEGLE 54TSOP
|
Technologia Mikron
|
|
|
|
|
|
W29N01GVSIA |
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
W25Q16CLSSIG |
Układ scalony FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
W25Q32FVSSIQ |
Układ scalony FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
W25Q128FVPIQ |
Układ scalony FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON
|
Elektronika Winbonda
|
|
|