Wyślij wiadomość

RS1E260ATTB1

producent:
Półprzewodnik Rohma
Opis:
MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Package / Case:
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
175 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.1mOhm @ 26A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
7850 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Zestaw:
-
Supplier Device Package:
8-HSOP
Mfr:
Półprzewodnik Rohma
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
26A (Ta), 80A (Tc)
Rozpraszanie mocy (maks.):
3 W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Numer produktu podstawowego:
RS1E
Wprowadzenie
P-kanał 30 V 26A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Nawierzchnia 8-HSOP
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: