W971GG8NB25I
producent:
Elektronika Winbonda
Opis:
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Category:
Integrated Circuits (ICs)
Memory
Memory
Memory Size:
1Gbit
Product Status:
Active
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Package:
Tray
Zestaw:
-
DigiKey Programmable:
Not Verified
Interfejs pamięci:
SSTL_18
Write Cycle Time - Word, Page:
15ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
60-VFBGA (8x9,5)
Memory Type:
Volatile
Mfr:
Winbond Electronics
Clock Frequency:
400 MHz
Voltage - Supply:
1.7V ~ 1.9V
Access Time:
57.5 ns
Package / Case:
60-VFBGA
Memory Organization:
128M x 8
Operating Temperature:
-40°C ~ 95°C (TC)
Technology:
SDRAM - DDR2
Base Product Number:
W971GG8
Memory Format:
DRAM
Wprowadzenie
SDRAM - pamięć DDR2 IC 1Gbit SSTL_18 400 MHz 57,5 ns 60-VFBGA (8x9,5)
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
W972GG6KB25I
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W632GU6NB-09
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2
IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
W632GU6NB-12
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
W632GU6NB12I
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
W632GU6NB11I
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
W632GG6NB-09
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
W632GU6NB-11
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
W632GG6NB-11
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
W972GG6KB25I |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W632GU6NB-09 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
|
|
|
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2 |
IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W632GU6NB-12 |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
|
|
|
|
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2 |
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W632GU6NB12I |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
|
|
|
|
W632GU6NB11I |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
|
|
|
W632GG6NB-09 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
|
|
|
W632GU6NB-11 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
|
|
|
W632GG6NB-11 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: