W631GU6NB-12
producent:
Elektronika Winbonda
Opis:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96VFBGA
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Category:
Integrated Circuits (ICs)
Memory
Memory
Memory Size:
1Gbit
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tray
Series:
-
DigiKey Programmable:
Not Verified
Memory Interface:
Parallel
Write Cycle Time - Word, Page:
15ns
Supplier Device Package:
96-VFBGA (7.5x13)
Typ pamięci:
Lotny
Mfr:
Winbond Electronics
Częstotliwość zegara:
800MHz
Voltage - Supply:
1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V
Czas dostępu:
20 sekund
Package / Case:
96-VFBGA
Organizacja pamięci:
64M x 16
Operating Temperature:
0°C ~ 95°C (TC)
Technology:
SDRAM - DDR3L
Base Product Number:
W631GU6
Memory Format:
DRAM
Wprowadzenie
SDRAM - DDR3L Memory IC 1Gbit Parallel 800 MHz 20 ns 96-VFBGA (7,5x13)
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
W972GG6KB25I
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W632GU6NB-09
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2
IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
W632GU6NB-12
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
W632GU6NB12I
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
W632GU6NB11I
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
W971GG8NB25I
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W632GG6NB-09
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
W632GU6NB-11
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
W972GG6KB25I |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W632GU6NB-09 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
|
|
|
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2 |
IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W632GU6NB-12 |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
|
|
|
|
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2 |
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W632GU6NB12I |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
|
|
|
|
W632GU6NB11I |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W632GG6NB-09 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
|
|
|
W632GU6NB-11 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: