W631GG6NB-12
producent:
Elektronika Winbonda
Opis:
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Category:
Integrated Circuits (ICs)
Memory
Memory
Memory Size:
1Gbit
Status produktu:
Aktywny
Mounting Type:
Surface Mount
Pakiet:
Płytka
Series:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Memory Interface:
SSTL_15
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
15ns
Supplier Device Package:
96-VFBGA (7.5x13)
Memory Type:
Volatile
Mfr:
Winbond Electronics
Clock Frequency:
800 MHz
Voltage - Supply:
1.425V ~ 1.575V
Access Time:
20 ns
Package / Case:
96-VFBGA
Memory Organization:
64M x 16
Operating Temperature:
0°C ~ 95°C (TC)
Technology:
SDRAM - DDR3
Base Product Number:
W631GG6
Memory Format:
DRAM
Wprowadzenie
SDRAM - pamięć DDR3 IC 1Gbit SSTL_15 800 MHz 20 ns 96-VFBGA (7,5x13)
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
W972GG6KB25I
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W632GU6NB-09
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2
IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
W632GU6NB-12
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
W632GU6NB12I
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
W632GU6NB11I
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
W971GG8NB25I
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W632GG6NB-09
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
W632GU6NB-11
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
W972GG6KB25I |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W632GU6NB-09 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
|
|
|
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2 |
IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W632GU6NB-12 |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
|
|
|
|
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2 |
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W632GU6NB12I |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
|
|
|
|
W632GU6NB11I |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W632GG6NB-09 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
|
|
|
W632GU6NB-11 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: