W9812G6KH-6I
producent:
Elektronika Winbonda
Opis:
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Memory Size:
128Mbit
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tray
Series:
-
DigiKey Programmable:
Not Verified
Memory Interface:
Parallel
Write Cycle Time - Word, Page:
-
Supplier Device Package:
54-TSOP II
Memory Type:
Volatile
Mfr:
Winbond Electronics
Clock Frequency:
166 MHz
Voltage - Supply:
3V ~ 3.6V
Access Time:
5 ns
Package / Case:
54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Memory Organization:
8M x 16
Operating Temperature:
-40°C ~ 85°C (TA)
Technology:
SDRAM
Base Product Number:
W9812G6
Memory Format:
DRAM
Wprowadzenie
Pamięć SDRAM IC 128Mbit Równoległy 166 MHz 5 ns 54-TSOP II
Related Products
W972GG6KB25I
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W632GU6NB-09
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2
IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
W632GU6NB-12
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
W632GU6NB12I
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
W632GU6NB11I
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
W971GG8NB25I
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W632GG6NB-09
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
W632GU6NB-11
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
W972GG6KB25I |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W632GU6NB-09 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
|
|
|
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2 |
IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W632GU6NB-12 |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
|
|
|
|
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2 |
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W632GU6NB12I |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
|
|
|
|
W632GU6NB11I |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W632GG6NB-09 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
|
|
|
W632GU6NB-11 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: