IXTA26P20P
producent:
IXYS
Opis:
MOSFET -26,0 A -200 V 0,170 Rds
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Polaryzacja tranzystora:
Kanał P
technologii:
Si
Id — ciągły prąd drenu:
- 26 A
Styl montażu:
SMD/SMT
Minimalna temperatura pracy:
- 55 C
Opakowanie / Pudełko:
TO-263-3
Maksymalna temperatura robocza:
+ 175 C
Tryb kanału:
Wzmocnienie
Vds — napięcie przebicia dren-źródło:
- 200 V
Opakowanie:
Rurka
Kategoria produktu:
MOSFET
Liczba kanałów:
1 kanał
Vgs - napięcie bramka-źródło:
20 V
Rds On — rezystancja drenu-źródła:
170 miliomów
Producent:
IXYS
Wprowadzenie
IXTA26P20P,od IXYS,to MOSFET.Oferujemy konkurencyjną cenę na światowym rynku,w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
IXFR64N60Q3
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
IXTT20N50D
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
IXFK200N10P
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
IXTQ50N25T
MOSFET 50Amps 250V
IXFP34N65X2
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
IXFH36N60P
MOSFET 600V 36A
IXFK100N65X2
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
IXTT110N10L2
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
IXFK44N80P
MOSFET 44 Amps 800V
IXFN520N075T2
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
IXFR64N60Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
|
|
|
|
IXTT20N50D |
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
|
|
|
|
IXFK200N10P |
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
|
|
|
|
IXTQ50N25T |
MOSFET 50Amps 250V
|
|
|
|
IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
|
|
|
|
IXFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
|
|
|
|
IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
|
|
|
|
IXTT110N10L2 |
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
|
|
|
|
IXFK44N80P |
MOSFET 44 Amps 800V
|
|
|
|
IXFN520N075T2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: