Wyślij wiadomość
Do domu > produkty > Półprzewodniki > IXFX64N50P

IXFX64N50P

producent:
IXYS
Opis:
MOSFET 64,0 A, 500 V, 0,09 oma Rds
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Polaryzacja tranzystora:
Kanał N
technologii:
Si
Id — ciągły prąd drenu:
64 A
Styl montażu:
Przez dziurę
Nazwa handlowa:
PolarHV i HiPerFET
Minimalna temperatura pracy:
- 55 C
Opakowanie / Pudełko:
TO-247-3
Maksymalna temperatura robocza:
+ 150 C
Tryb kanału:
Wzmocnienie
Vds — napięcie przebicia dren-źródło:
500 V
Opakowanie:
Rurka
Vgs th - Napięcie progowe bramki-źródła:
5,5 V
Kategoria produktu:
MOSFET
Rds On — rezystancja drenu-źródła:
85 megaomów
Liczba kanałów:
1 kanał
Vgs - napięcie bramka-źródło:
30 V
Qg — Ładunek Bramy:
150 nC
Producent:
IXYS
Wprowadzenie
IXFX64N50P, od IXYS, jest MOSFET.To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na rynku globalnym, które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: