Wyślij wiadomość
Do domu > produkty > Półprzewodniki > IXFH40N85X

IXFH40N85X

producent:
IXYS
Opis:
MOSFET 850 V Ultra Junction klasy X Pwr MOSFET
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Polaryzacja tranzystora:
Kanał N
technologii:
Si
Id — ciągły prąd drenu:
40 A
Styl montażu:
Przez dziurę
Nazwa handlowa:
HiPerFET
Minimalna temperatura pracy:
- 55 C
Opakowanie / Pudełko:
TO-247-3
Maksymalna temperatura robocza:
+ 150 C
Tryb kanału:
Wzmocnienie
Vds — napięcie przebicia dren-źródło:
850 V
Opakowanie:
Rurka
Vgs th - Napięcie progowe bramki-źródła:
3,5 V
Kategoria produktu:
MOSFET
Rds On — rezystancja drenu-źródła:
145 megaomów
Liczba kanałów:
1 kanał
Vgs - napięcie bramka-źródło:
+/- 30 V
Qg — Ładunek Bramy:
98 nC
Producent:
IXYS
Wprowadzenie
IXFH40N85X,od IXYS,to MOSFET.To co oferujemy ma konkurencyjną cenę na rynku globalnym,które są w oryginalnych i nowych częściach.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem czatów internetowych lub wyślij nam ofertę!
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: