Vishay półprzewodniki
| Obraz | część # | Opis | producent | Akcje | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI2312BDS-T1-E3 |
MOSFET N-kanałowy 20 V 3,9 A
|
|
|
|
|
|
|
Si1022R-T1-GE3 |
MOSFET 60 V 330 mA 250 mW 1,25 oma przy 10 V
|
|
|
|
|
|
|
SUMA110P08-11L-E3 |
MOSFET 80V 110A 375W
|
|
|
|
|
|
|
SIHG73N60E-GE3 |
MOSFET 600 V 39 mOhm przy 10 V 73 A N-Ch E-SRS
|
|
|
|
|
|
|
SI4559ADY-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60 V 58/120 mohm przy 10 V
|
|
|
|
|
|
|
IRFPS37N50APBF |
MOSFET N-Chan 500 V 36 A
|
|
|
|
|
|
|
SI4946BEY-T1-E3 |
MOSFET 60 V 6,5 A 3,7 W
|
|
|
|
|
|
|
SIR462DP-T1-GE3 |
MOSFET 30 V 30 A 41,7 W 7,9 moha przy 10 V
|
|
|
|
|
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 |
MOSFET 30 V 11,4 A 5,0 W 24 mohm przy 10 V
|
|
|
|
|
|
|
SI2333DS-T1-E3 |
MOSFET 12 V 5,3 A 1,25 W 32 momy przy 4,5 V
|
|
|
|
|
|
|
SQM40031EL_GE3 |
MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 Kwalifikacja
|
|
|
|
|
|
|
SQ1440EH-T1_GE3 |
MOSFET 60 V Vds +/-20 V Vgs Kwalifikacja AEC-Q101
|
|
|
|
|
|
|
SI2312CDS-T1-GE3 |
MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET
|
|
|
|
|
|
|
SI7938DP-T1-GE3 |
MOSFET 40 V 60 A 46 W 5,8 mohm przy 10 V
|
|
|
|
|
|
|
SI7252DP-T1-GE3 |
MOSFET 100 V 17 mOhm przy 10 V 36,7 A N-Ch MV T-FET
|
|
|
|
|
|
|
SI1539CDL-T1-GE3 |
MOSFET 30 V, 0,7 A, 0,34 W
|
|
|
|
|
|
|
SI3932DV-T1-GE3 |
MOSFET 30 V 3,7 A PODWÓJNY MOSFET N-CH
|
|
|
|
|
|
|
SI2303CDS-T1-GE3 |
MOSFET 30 V 2,7 A 2,3 W 190 mohm przy 10 V
|
|
|
|
|
|
|
SI4488DY-T1-E3 |
MOSFET 150V 5A 3,1W
|
|
|
|
|
|
|
SI5515CDC-T1-GE3 |
MOSFET 20V 4A / 4A N i P-CH MOSFET
|
|
|
|
|
|
|
SI7119DN-T1-E3 |
MOSFET 200 V 3,8 A 52 W 1,05 oma przy 10 V
|
|
|
|
|
|
|
SI4848DY-T1-GE3 |
MOSFET 150 V 3,7 A 3,0 W 85 mohm przy 10 V
|
|
|
|
|
|
|
Si4134DY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 14A 5,0W
|
|
|
|
|
|
|
SI7336ADP-T1-E3 |
MOSFET 30 V 30 A 5,4 W 3,0 mohm przy 10 V
|
|
|
|
|
|
|
SI1902DL-T1-E3 |
MOSFET 20V 0,70A
|
|
|
|
|
|
|
IRFP460APBF |
MOSFET N-Chan 500 V 20 A
|
|
|
|
|
|
|
IRF540PBF |
MOSFET N-Chan 100 V 28 A
|
|
|
|
|
|
|
SI7615ADN-T1-GE3 |
MOSFET -20 V 4,4 mOhm przy 10 V 35 A P-Ch G-III
|
|
|
|
|
|
|
SI7315DN-T1-GE3 |
MOSFET -150 V, 315 omów przy -10 V -8,9 A P-Ch T-FET
|
|
|
|
|
|
|
SI7145DP-T1-GE3 |
MOSFET -30 V 2,6 mOhm przy 10 V 60 A P-Ch G-III
|
|
|
|
|
|
|
SI4850EY-T1-E3 |
MOSFET 60 V, 8,5 A, 3,3 W
|
|
|
|
|
|
|
SI4431CDY-T1-GE3 |
MOSFET 30 V 9,0 A 4,2 W 32 mohm przy 10 V
|
|
|
|
|
|
|
SI3585CDV-T1-GE3 |
MOSFET 20 V, 3,9 A, 1,4 W
|
|
|
|
|
|
|
IRFP064PBF |
MOSFET N-Chan 60 V 70 Amp
|
|
|
|
|
|
|
SI4532CDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 6,0/4,3A 2,78W 47/89MOHM @ 10 V
|
|
|
|
|
|
|
IRF840APBF |
MOSFET N-Chan 500 V 8,0 A
|
|
|
|
|
|
|
SI2307CDS-T1-GE3 |
MOSFET 30 V 2,7 A 1,8 W 88 mohm przy 10 V
|
|
|
|
|
|
|
SI7121DN-T1-GE3 |
MOSFET 30 V 16 A 52 W 1,8 moha przy 10 V
|
|
|
|
|
|
|
SI1016X-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 700/1200 mohm przy 4,5 V
|
|
|
|
|
|
|
SI7997DP-T1-GE3 |
MOSFET -30 V 5,5 mOhm przy 10 V 60 A P-Ch G-III
|
|
|
|
|
|
|
SIR870ADP-T1-GE3 |
MOSFET 100 V 6,6 mOhm przy 10 V 60 A N-Ch MV T-FET
|
|
|
|
|
|
|
IRF520PBF |
MOSFET N-Chan 100 V 9,2 A
|
|
|
|
|
|
|
Si4410BDY-T1-E3 |
MOSFET 30V 10A 2,5W
|
|
|
|
|
|
|
SI1869DH-T1-E3 |
PRZEŁĄCZNIK OBCIĄŻENIA MOSFET 1,8 V RA Z PRZESUNIĘCIEM POZIOMU
|
|
|
|
|
|
|
SIS862DN-T1-GE3 |
MOSFET 60 V 8,5 mOhm przy 10 V 40 A N-Ch G-IV
|
|
|
|
|
|
|
SI1553CDL-T1-GE3 |
MOSFET 20 V 0,7/-0,5
|
|
|
|
|
|
|
SI4288DY-T1-GE3 |
MOSFET 40 woltów 9,2 amps 3,1 watów
|
|
|
|
|
|
|
SI4401DDY-T1-GE3 |
MOSFET 40V 16,1A P-CH MOSFET
|
|
|
|
|
|
|
SIZ918DT-T1-GE3 |
MOSFET 30 V 16 A/28 A 29/100 W 12 mohm / 3,7 mohm przy 10 V
|
|
|
|
|
|
|
SI7998DP-T1-GE3 |
MOSFET 30 V 25/30 A 93/53 mohm przy 10 V
|
|
|
|