logo
Wyślij wiadomość
Do domu > producenci >

Półprzewodnik Samsung

Półprzewodnik Samsung
Obraz część # Opis producent Akcje RFQ
K9F4G08U0B-PCB0

K9F4G08U0B-PCB0

Pamięć Flash NAND 512M x 8 bitów / 1G x 8 bitów
K4S641632K-UC60

K4S641632K-UC60

SDRAM 64Mb K-die
K9F2G08U0D-SCB0

K9F2G08U0D-SCB0

256M x 8-bitowa pamięć NAND Flash
K9K8G08U0A-PIB0

K9K8G08U0A-PIB0

Pamięć flash NAND 1G x 8 bitów / 2G x 8 bitów
KLUEG8U1EM-B0B1

KLUEG8U1EM-B0B1

Pamięć Ic
K4B2G1646F-BCK0

K4B2G1646F-BCK0

96FBGA bezołowiowy i bezhalogenowy
K4H511638J-LCCC

K4H511638J-LCCC

Specyfikacja pamięci DDR SDRAM 512Mb typu C
K9F1G08U0E-SCB0

K9F1G08U0E-SCB0

Pamięć flash NAND 1 Gb
K4W1G1646E-HC12

K4W1G1646E-HC12

Pamięć graficzna
K4T1G084QF-BCF7

K4T1G084QF-BCF7

1 GB pamięci F-die DDR2 SDRAM
K4B4G1646D-BCMA

K4B4G1646D-BCMA

4Gb B-die DDR3 SDRAM Tylko x16
K9F5608U0D-PCB0

K9F5608U0D-PCB0

32M x 8-bitowa pamięć NAND Flash
K4A8G085WB-BCPB

K4A8G085WB-BCPB

SDRAM DDR4 typu B o pojemności 8 GB
K4A8G165WC-BCTD

K4A8G165WC-BCTD

8 GB pamięci typu B DDR4 SDRAM x16
K4B4G0846Q-HYK0

K4B4G0846Q-HYK0

Specyfikacja DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM
K4T1G164QE-HCE7

K4T1G164QE-HCE7

1 Gb E-die DDR2 SDRAM 60FBGA/84FBGA bezołowiowa i bezhalogenowa (zgodna z RoHS)
K9GAG08U0E-SCB0

K9GAG08U0E-SCB0

16-gigabajtowa pamięć elektroniczna NAND Flash
K4G20325FD-FC03

K4G20325FD-FC03

Pamięć graficzna
K4G41325FE-HC28

K4G41325FE-HC28

Pamięć graficzna
K4E6E304EE-EGCF

K4E6E304EE-EGCF

Pamięć Ic
K4B1G1646G-BCH9

K4B1G1646G-BCH9

Specyfikacja 1Gb D-die DDR3 SDRAM
K4G80325FB-HC25

K4G80325FB-HC25

Pamięć graficzna
K4S561632H-UC75

K4S561632H-UC75

Przewodnik po produktach SDRAM
K4S511632D-UC75

K4S511632D-UC75

DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 banki Synchroniczna pamięć DRAM LVTTL
K4T1G164QE-HCF8

K4T1G164QE-HCF8

1 GB pamięci elektronicznej DDR2 SDRAM
K9F1G08U0B-PCB0

K9F1G08U0B-PCB0

128M x 8 bitów / 256M x 8 bitów NAND Flash
K9F5608U0D-PIB0

K9F5608U0D-PIB0

32M x 8-bitowa pamięć NAND Flash
K4S561632N-LC75

K4S561632N-LC75

K9F1G08U0D-SCB0

K9F1G08U0D-SCB0

128M x 8 bitów / 256M x 8 bitów NAND Flash
K9WBG08U1M-PIB0

K9WBG08U1M-PIB0

K9WAG08U1A-PIB0

K9WAG08U1A-PIB0

Pamięć flash NAND 1G x 8 bitów / 2G x 8 bitów
K9F2G08U0C-SIB0

K9F2G08U0C-SIB0

Pamięć Flash NAND 2 Gb typu C
K9F2G08U0C-SCB0

K9F2G08U0C-SCB0

Pamięć Flash NAND 2 Gb typu C
S3C4530A01-QE80

S3C4530A01-QE80

16/32-bitowy mikrokontroler RISC to ekonomiczny mikrokontroler o wysokiej wydajności
S3C2440AL-40

S3C2440AL-40

16/32-bitowy mikroprocesor RISC
K5L2731CAA-D770

K5L2731CAA-D770

K4S641632N-LC60

K4S641632N-LC60

Synchroniczna pamięć DRAM 1M x 16 bitów x 4 banki
K4E6E304EE-EGCE

K4E6E304EE-EGCE

K4B4G1646D-BMK0

K4B4G1646D-BMK0

Pamięć DDR3 SDRAM
S3C2410AL-20

S3C2410AL-20

MIKROPROCESOR RISC
KMR310001M-B611

KMR310001M-B611

K4S561632E-UC75

K4S561632E-UC75

256Mb E-die SDRAM Specyfikacja 54 TSOP-II bez Pb (zgodny z RoHS)
K9K8G08U0B-PCB0

K9K8G08U0B-PCB0

K4G41325FC-HC03

K4G41325FC-HC03

K4T1G164QF-BCE7

K4T1G164QF-BCE7

1 GB pamięci F-die DDR2 SDRAM
K4T51163QI-HCE7

K4T51163QI-HCE7

SDRAM DDR2 o pojemności 512 MB typu B
K4B4G1646B-HYK0

K4B4G1646B-HYK0

K4B1G1646G-BCK0

K4B1G1646G-BCK0

Specyfikacja 1Gb C-die DDR3 SDRAM
K4S561632J-UC75

K4S561632J-UC75

K9F1G08U0D-SIB0

K9F1G08U0D-SIB0

Pamięć Flash NAND 1 Gb
1 2