logo
Wyślij wiadomość
Do domu > producenci >

Rozpiętość / Cyprys

Rozpiętość / Cyprys
Obraz część # Opis producent Akcje RFQ
MB3771PF-G-BND-JN-EFE1

MB3771PF-G-BND-JN-EFE1

Monitor zasilania obwodów nadzorujących
MB3773PF-G-BND-JN-ERE1

MB3773PF-G-BND-JN-ERE1

Obwody nadzorcze Monitor zasilania PWR z zegarem kontrolnym
MB3771PF-G-BND-JN-ERE1

MB3771PF-G-BND-JN-ERE1

Monitor zasilania obwodów nadzorujących
S29GL256N11TFI010

S29GL256N11TFI010

Pamięć Flash w trybie stronicowym 3,0 V z technologią procesową MirrorBit™ 110 nm
S29JL032H70TFI010

S29JL032H70TFI010

PAMIĘĆ FLASH 32M BIT CMOS 3,0 V
S34ML01G100TFI000

S34ML01G100TFI000

Pamięć Flash 1Gb 3V 25ns NAND Flash
S25FL127SABBHIC00

S25FL127SABBHIC00

Pamięć Flash 128 MB 3 V 108 MHz, szeregowa pamięć NOR Flash
S29WS512P0SBFW000

S29WS512P0SBFW000

Pamięć Flash 512 MB 1,8 V 80 MHz Równoległy NOR Flash
S29WS256P0PBFW000

S29WS256P0PBFW000

Pamięć Flash 256Mb 1,8V 66Mhz, równoległa pamięć NOR Flash
S34MS04G100BHI000

S34MS04G100BHI000

Pamięć Flash 4G, 1,8 V, 45 ns NAND Flash
S34MS01G100BHI000

S34MS01G100BHI000

Pamięć Flash 1G, 1,8 V, 45 ns NAND Flash
S34ML04G200TFI003

S34ML04G200TFI003

Pamięć Flash 4G, 3V, 25ns NAND Flash
S25FL064P0XMFI003

S25FL064P0XMFI003

Pamięć flash 64M CMOS 3V 104MHz szeregowa NOR Flash
S29GL032N11TFIV20

S29GL032N11TFIV20

Pamięć Flash 32 MB 2,7–3,6 V 110 ns, równoległa pamięć NOR Flash
S29GL032N90FFI020

S29GL032N90FFI020

Pamięć Flash 32 MB 2,7–3,6 V 90 ns, równoległa pamięć NOR Flash
S25FL032P0XNFI011

S25FL032P0XNFI011

Pamięć Flash 4M CMOS 3V 50MHZ Szeregowa pamięć NOR Flash
S34MS02G200BHI000

S34MS02G200BHI000

Pamięć Flash 4-BIT ECC, X8 I/O ORAZ 1,8 V VCC
S29GL128N10TFI02

S29GL128N10TFI02

Pamięć Flash w trybie stronicowym 3,0 V z technologią procesową MirrorBit™ 110 nm
S29AL032D90TAI040

S29AL032D90TAI040

32-megabitowa pamięć flash CMOS 3,0 V
1