S34MS02G200BHI000
producent:
Rozpiętość / Cyprys
Opis:
Pamięć Flash 4-BIT ECC, X8 I/O ORAZ 1,8 V VCC
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Opakowanie:
Płytka
Kategoria produktu:
Pamięć flash
Producent:
Rozpiętość / Cyprys
Wprowadzenie
S34MS02G200BHI000, od Spansion / Cypress, to pamięć flash.Jeśli chcesz wiedzieć więcej o produktach lub skorzystać z niższej ceny, skontaktuj się z nami za pośrednictwem online chatu lub wyślij nam ofertę!
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
S34ML01G100TFI000
Flash Memory 1Gb 3V 25ns NAND Flash
S25FL127SABBHIC00
Flash Memory 128MB 3V 108MHz Serial NOR Flash
S29WS512P0SBFW000
Flash Memory 512Mb 1.8V 80Mhz Parallel NOR Flash
S29WS256P0PBFW000
Flash Memory 256Mb 1.8V 66Mhz Parallel NOR Flash
S34MS04G100BHI000
Flash Memory 4G, 1.8V, 45ns NAND Flash
S34MS01G100BHI000
Flash Memory 1G, 1.8V, 45ns NAND Flash
S34ML04G200TFI003
Flash Memory 4G, 3V, 25ns NAND Flash
S25FL064P0XMFI003
Flash Memory 64M CMOS 3V 104MHz Serial NOR Flash
S29GL032N11TFIV20
Flash Memory 32MB 2.7-3.6V 110ns Parallel NOR Flash
S29GL032N90FFI020
Flash Memory 32MB 2.7-3.6V 90ns Parallel NOR Flash
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
S34ML01G100TFI000 |
Flash Memory 1Gb 3V 25ns NAND Flash
|
|
|
|
S25FL127SABBHIC00 |
Flash Memory 128MB 3V 108MHz Serial NOR Flash
|
|
|
|
S29WS512P0SBFW000 |
Flash Memory 512Mb 1.8V 80Mhz Parallel NOR Flash
|
|
|
|
S29WS256P0PBFW000 |
Flash Memory 256Mb 1.8V 66Mhz Parallel NOR Flash
|
|
|
|
S34MS04G100BHI000 |
Flash Memory 4G, 1.8V, 45ns NAND Flash
|
|
|
|
S34MS01G100BHI000 |
Flash Memory 1G, 1.8V, 45ns NAND Flash
|
|
|
|
S34ML04G200TFI003 |
Flash Memory 4G, 3V, 25ns NAND Flash
|
|
|
|
S25FL064P0XMFI003 |
Flash Memory 64M CMOS 3V 104MHz Serial NOR Flash
|
|
|
|
S29GL032N11TFIV20 |
Flash Memory 32MB 2.7-3.6V 110ns Parallel NOR Flash
|
|
|
|
S29GL032N90FFI020 |
Flash Memory 32MB 2.7-3.6V 90ns Parallel NOR Flash
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: