Wyślij wiadomość

SQ2362ES-T1_GE3

producent:
Vishay Siliconix
Opis:
MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Funkcja FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Temperatura pracy:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:
12 nC przy 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
95mOhm @ 4.5A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
550 pF @ 30 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4.3A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQ2362
Wprowadzenie
N-kanał 60 V 4.3A (Tc) 3W (Tc) Nawierzchnia SOT-23-3 (TO-236)
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: