Wyślij wiadomość

SISS23DN-T1-GE3

producent:
Vishay Siliconix
Opis:
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
900mV @ 250µA
Operating Temperature:
-50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® 1212-8S
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
300 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.5mOhm @ 20A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.8V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:
8840 pF przy 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Zestaw:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® 1212-8S
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
50A (Tc)
Rozpraszanie mocy (maks.):
4,8 W (Ta), 57 W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SISS23
Wprowadzenie
P-kanał 20 V 50A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Nawierzchnia PowerPAK® 1212-8S
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: