Wyślij wiadomość

SQJA62EP-T1_GE3

producent:
Vishay Siliconix
Opis:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Maks.) @ Id:
2,5 V przy 250 µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Opakowanie / Pudełko:
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
85 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4,5 mOhm przy 10 A, 10 V
FET Type:
N-Channel
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.):
4,5 V, 10 V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
5100 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
60A (Tc)
Power Dissipation (Max):
68W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQJA62
Wprowadzenie
N-kanał 60 V 60 A (Tc) 68 W (Tc) Nawierzchnia PowerPAK® SO-8
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: