Wyślij wiadomość

SI7469DP-T1-GE3

producent:
Vishay Siliconix
Opis:
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Funkcja FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Temperatura pracy:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:
160 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
25mOhm @ 10.2A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
80 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4700 pF @ 40 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
28A (Tc)
Power Dissipation (Max):
5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7469
Wprowadzenie
P-Channel 80 V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Nawierzchnia PowerPAK® SO-8
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: