Wyślij wiadomość

SI7149ADP-T1-GE3

producent:
Vishay Siliconix
Opis:
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Temperatura pracy:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:
135 nC przy 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
5.2mOhm @ 15A, 10V
Typ FET:
Kanał P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR) Taśma cięcia (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±25V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
5125 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
50A (Tc)
Power Dissipation (Max):
5W (Ta), 48W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7149
Wprowadzenie
P-kanał 30 V 50A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Nawierzchnia PowerPAK® SO-8
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: