Zmiany w systemie operacyjnym
producent:
Półprzewodnik Rohma
Opis:
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id:
800mV @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
26 pF @ 10 V
Series:
-
Vgs (maks.):
±8 V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Zestaw urządzeń dostawcy:
UMT3F
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Mfr:
Półprzewodnik Rohma
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Typ FET:
Kanał N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
0.9V, 4.5V
Power Dissipation (Max):
150mW (Ta)
Package / Case:
SC-85
Drain to Source Voltage (Vdss):
50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
200mA (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RU1J002
Wprowadzenie
N-kanał 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Nawierzchnia UMT3F
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
RSD050N10TL
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
RRR040P03TL
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Odpowiedź:
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
RS1L120GNTB
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
RUM003N02T2L
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
RD3P130SPTL1
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
RD3H200SNTL1
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Odpowiedź:
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
RD3P050SNTL1
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
RQ3E100ATTB
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
RSD050N10TL |
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
|
|
|
|
RRR040P03TL |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
|
|
|
|
Odpowiedź: |
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
|
|
|
|
RS1L120GNTB |
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
|
|
|
|
RUM003N02T2L |
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
|
|
|
|
RD3P130SPTL1 |
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
|
|
|
|
RD3H200SNTL1 |
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
|
|
|
|
Odpowiedź: |
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
|
|
|
|
RD3P050SNTL1 |
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
|
|
|
|
RQ3E100ATTB |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: