W25Q512JVFIQ
producent:
Elektronika Winbonda
Opis:
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Kategoria:
Półprzewodniki
Specyfikacje
Category:
Integrated Circuits (ICs)
Memory
Memory
Memory Size:
512Mbit
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tube
Series:
SpiFlash®
DigiKey Programmable:
Not Verified
Memory Interface:
SPI - Quad I/O
Write Cycle Time - Word, Page:
-
Supplier Device Package:
16-SOIC
Memory Type:
Non-Volatile
Mfr:
Winbond Electronics
Clock Frequency:
133 MHz
Napięcie - zasilanie:
2.7V ~ 3.6V
Package / Case:
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Organizacja pamięci:
64M x 8
Operating Temperature:
-40°C ~ 85°C (TA)
technologii:
BŁYSK - NIE
Base Product Number:
W25Q512
Format pamięci:
Błysk
Wprowadzenie
FLASH – Układ pamięci NOR 512Mbit SPI – Cztery wejścia/wyjścia 133 MHz 16-SOIC
Related Products
W972GG6KB25I
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W632GU6NB-09
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2
IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
W632GU6NB-12
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
W632GU6NB12I
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
W632GU6NB11I
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
W971GG8NB25I
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W632GG6NB-09
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
W632GU6NB-11
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
W972GG6KB25I |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W632GU6NB-09 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
|
|
|
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2 |
IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W632GU6NB-12 |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
|
|
|
|
Wykorzystanie urządzeń do pomiaru emisji CO2 |
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W632GU6NB12I |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96VFBGA
|
|
|
|
W632GU6NB11I |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W632GG6NB-09 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
|
|
|
W632GU6NB-11 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: