VS-8EWF12S-M3
producent:
Vishay General Semiconductor - Diody
Opis:
DIODA GEN PURP 1,2KV 8A TO252
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody
Status produktu:
Aktywny
Prąd — upływ wsteczny @ Vr:
100 µA przy 1200 V
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli:
1,3 V przy 8 A
Pakiet:
Rurka
Zestaw:
-
Pojemność @ Vr, F:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
TO-252, (pakiet D)
Czas przywracania wstecznego (trr):
270 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
technologii:
Standardowy
Temperatura robocza — złącze:
-40°C ~ 150°C
Opakowanie / Pudełko:
TO-252-3, DPak (2 odprowadzenia + zakładka), SC-63
Napięcie — prąd stały wsteczny (Vr) (maks.):
1200 V
Prąd - średni rektyfikowany (Io):
8A
Prędkość:
Szybkie odzyskiwanie =< 500ns, > 200mA (Io)
Numer produktu podstawowego:
8EWF12
Wprowadzenie
Dioda 1200 V 8A Nawierzchnia TO-252, (D-Pak)
Related Products
VS-60EPF04-M3
DIODE GP 400V 60A TO247AC
MCL4448-TR
DIODE GP 75V 150MA MICROMELF
VS-50WQ04FNTR-M3
DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK
RS07J-GS18
DIODE GP 600V 500MA DO219AB
VS-150K30A
DIODE GEN PURP 300V 150A DO205AA
B340A-E3/61T
DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
SL43-E3/57T
DIODE SCHOTTKY 30V 4A DO214AB
SSC54-E3/9AT
DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB
VS-10BQ100-M3/5BT
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AA
SS36-E3/57T
DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
VS-60EPF04-M3 |
DIODE GP 400V 60A TO247AC
|
|
|
|
MCL4448-TR |
DIODE GP 75V 150MA MICROMELF
|
|
|
|
VS-50WQ04FNTR-M3 |
DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK
|
|
|
|
RS07J-GS18 |
DIODE GP 600V 500MA DO219AB
|
|
|
|
VS-150K30A |
DIODE GEN PURP 300V 150A DO205AA
|
|
|
|
B340A-E3/61T |
DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
|
|
|
|
SL43-E3/57T |
DIODE SCHOTTKY 30V 4A DO214AB
|
|
|
|
SSC54-E3/9AT |
DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB
|
|
|
|
VS-10BQ100-M3/5BT |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AA
|
|
|
|
SS36-E3/57T |
DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: